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1. WO2020066288 - TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/066288
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/030207
Date du dépôt international 01.08.2019
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
G09F 9/30 2006.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
CPC
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
Déposants
  • 株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 津吹 将志 TSUBUKU, Masashi
  • 戸田 達也 TODA, Tatsuya
Mandataires
  • 特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
2018-17913125.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタ及び表示装置
Abrégé
(EN)
The present invention: sufficiently reduces an off-leakage current of a transistor that includes an oxide semiconductor as an active layer; achieves uniform characteristics even when a large number of transistors are to be formed on a large substrate; and reduces a load on a manufacturing process. This thin-film transistor has: an active layer that is made of an oxide semiconductor including at least indium and gallium; at least one first gate electrode; a first gate insulating layer that is disposed between the active layer and the gate electrode so as to be closer to the gate electrode side; and a second gate insulating layer that is a hydrogen blocking layer disposed between the active layer and the gate electrode so as to be closer to the active layer side.
(FR)
La présente invention : réduit suffisamment un courant de fuite d'un transistor qui comprend un semi-conducteur à oxyde en tant que couche active ; permet d'obtenir des caractéristiques uniformes même lorsqu'un grand nombre de transistors doivent être formés sur un grand substrat ; et réduit une charge sur un processus de fabrication. Ce transistor à couches minces comprend : une couche active qui est constituée d'un semi-conducteur à oxyde comprenant au moins de l'indium et du gallium ; au moins une première électrode de grille ; une première couche d'isolation de grille qui est disposée entre la couche active et l'électrode de grille de façon à être plus proche du côté de l'électrode de grille ; et une seconde couche d'isolation de grille qui est une couche de blocage d'hydrogène disposée entre la couche active et l'électrode de grille de façon à être plus proche du côté de la couche active.
(JA)
酸化物半導体を活性層とするトランジスタのオフリーク電流を十分に小さくするとともに、大型基板に対して多数のトランジスタを形成する際にも均一な特性が得られ、なおかつ製造工程への負荷を小さくすること。 少なくともインジウム及びガリウムを含む酸化物半導体からなる活性層と、少なくとも1つのゲート電極と、前記活性層と前記ゲート電極間の前記ゲート電極側に配置された第1ゲート絶縁層と、前記活性層と前記ゲート電極化の前記活性層側に配置された水素ブロック層である第2ゲート絶縁層と、を有する薄膜トランジスタ。
Également publié en tant que
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