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1. WO2020064542 - PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTERMINER DES MOTIFS CANDIDATS À PARTIR D'UN ENSEMBLE DE MOTIFS D'UN PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS

Numéro de publication WO/2020/064542
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/075321
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G06F 17/50 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17Équipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50Conception assistée par ordinateur
CPC
G03F 7/70433
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/7065
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
7065Defect inspection
G06F 30/398
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
39Circuit design at the physical level
398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • VELLANKI, Venugopal
  • SIMMONS, Mark, Christopher
Mandataires
  • PETERS, John Antoine
Données relatives à la priorité
62/735,37724.09.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DETERMINING CANDIDATE PATTERNS FROM SET OF PATTERNS OF A PATTERNING PROCESS
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTERMINER DES MOTIFS CANDIDATS À PARTIR D'UN ENSEMBLE DE MOTIFS D'UN PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIFS
Abrégé
(EN)
Described herein is a method of determining candidate patterns from a set of patterns of a patterning process. The method includes obtaining (i) a set of patterns of a patterning process, (ii) a search pattern having a first feature and a second feature, and (iii) a first search condition comprising a relative position between the first feature and the second feature of the search pattern; and determining a first set of candidate patterns from the set of patterns that satisfies the first search condition associated with the first feature and the second feature of the search pattern.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de déterminer des motifs candidats à partir d'un ensemble de motifs d'un processus de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir (i) un ensemble de motifs d'un processus de formation de motifs, (ii) un motif de recherche ayant une première caractéristique et une seconde caractéristique et (iii) une première condition de recherche comprenant une position relative entre la première caractéristique et la seconde caractéristique du motif de recherche ; et à déterminer un premier ensemble de motifs candidats à partir de l'ensemble de motifs qui remplit la première condition de recherche associée à la première caractéristique et la seconde caractéristique du motif de recherche.
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