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1. WO2020064485 - MESURE DE TEMPÉRATURE D'UN ÉLÉMENT DISJONCTEUR À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/064485
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/075116
Date du dépôt international 19.09.2019
CIB
G01K 7/01 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
01utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
G01K 7/16 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
16utilisant des éléments résistifs
H03F 3/45 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
45Amplificateurs différentiels
B62D 5/04 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
62VÉHICULES TERRESTRES SE DÉPLAÇANT AUTREMENT QUE SUR RAILS
DVÉHICULES À MOTEURS; REMORQUES
5Direction assistée ou à relais de puissance
04électrique, p.ex. au moyen d'un servomoteur relié au boîtier de direction ou faisant partie de celui-ci
CPC
B62D 5/0496
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
62LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
DMOTOR VEHICLES; TRAILERS
5Power-assisted or power-driven steering
04electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear
0457characterised by control features of the drive means as such
0481monitoring the steering system, e.g. failures
0496by using a temperature sensor
G01K 2205/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2205Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle
G01K 2217/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2217Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured
G01K 7/015
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01using semiconducting elements having PN junctions
015using microstructures, e.g. made of silicon
G01K 7/16
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
16using resistive elements
H03F 3/45475
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
45071with semiconductor devices only
45076characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
45475using IC blocks as the active amplifying circuit
Déposants
  • thyssenkrupp Presta AG [LI]/[LI]
  • THYSSENKRUPP AG [DE]/[DE]
Inventeurs
  • BALÁZS, Vargha
Mandataires
  • THYSSENKRUPP INTELLECTUAL PROPERTY GMBH
Données relatives à la priorité
10 2018 123 903.327.09.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) TEMPERATURMESSUNG EINES HALBLEITERLEISTUNGSSCHALTELEMENTES
(EN) TEMPERATURE MEASUREMENT OF A POWER SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT
(FR) MESURE DE TEMPÉRATURE D'UN ÉLÉMENT DISJONCTEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Bestimmung einer Temperatur eines Halbleiterleistungsschaltelementes (1) aufweisend den Halbleiterleistungsschalter (1) mit einem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3), wobei die Einrichtung eine nicht-invertierende Verstärkerschaltung, umfassend einen Operationsverstärker (2) und einen Gegenkopplungs-Widerstand (4), aufweist, wobei der invertierende Eingang des Operationsverstärkers (2) so an den Halbleiterleistungsschalter (1) angeschlossen ist, dass die Verstärkung der nicht-invertierenden Verstärkerschaltung (200) in einem vorgegebenen Frequenzbereich eines Eingangssignals (VIN) von dem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3) und dem Gegenkopplungs-Widerstand (4) abhängt und ein Maß für die Temperatur des Halbleiterleistungsschaltelementes (1) ist.
(EN)
The invention relates to a device for determining a temperature of a power semiconductor switching element (1) comprising the power semiconductor switch (1) with an inbuilt temperature-dependent gate resistor (3), wherein the device has a noninverting amplifier circuit, comprising an operational amplifier (2) and a feedback resistor (4), wherein the inverting input of the operational amplifier (2) is connected to the power semiconductor switch (1) such that the gain of the noninverting amplifier circuit (200) in a predefined frequency range of an input signal (VIN) depends on the inbuilt temperature-dependent gate resistor (3) and the feedback resistor (4) and is a measure for the temperature of the power semiconductor switching element (1).
(FR)
L'invention concerne un dispositif de détermination de la température d'un élément disjoncteur à semi-conducteur (1) présentant le disjoncteur à semi-conducteur (1) pourvu d'une résistance de grille intégrée dépendant de la température (3), le dispositif présentant un circuit amplificateur non inverseur, comprenant un amplificateur opérationnel (2) et une résistance de contre-réaction (4), l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel (2) étant raccordée au disjoncteur à semi-conducteur (1) de telle sorte que l'amplification du circuit amplificateur non inverseur (200) dans une plage de fréquence prédéfinie d'un signal d'entrée (VIN) dépend de la résistance de grille (3) intégrée dépendant de la température et de la résistance de contre-réaction (4) et est une grandeur pour la température du disjoncteur à semi-conducteur (1).
Également publié en tant que
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