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1. WO2020063919 - DISPOSITIF D'ALIMENTATION À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/063919
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108740
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 29/739 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739commandés par effet de champ
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
CPC
H01L 29/739
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 苏州东微半导体有限公司 SUZHOU ORIENTAL SEMICONDUCTOR CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘伟 LIU, Wei
  • 袁愿林 YUAN, Yuanlin
  • 刘磊 LIU, Lei
  • 毛振东 MAO, Zhendong
Mandataires
  • 北京品源专利代理有限公司 BEYOND ATTORNEYS AT LAW
Données relatives à la priorité
201811147920.029.09.2018CN
201811147957.329.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ALIMENTATION À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体功率器件
Abrégé
(EN)
The invention relates to the technical field of semiconductor power devices, and provides a semiconductor power device, comprising: an n-type semiconductor substrate (400), and the following elements located within the n-type semiconductor substrate (400): at least one set of a first gate trench (401) and second gate trench (402), adjacent to each other; a p-type bulk region (44) located between the first gate trench (401) and the second gate trench (402); an n-type source region (45) located within the p-type bulk region (44); a gate dielectric layer (42) and a control gate (43) respectively located within the first gate trench (401) and the second gate trench (402); and a source contact hole (404) located on the p-type bulk region (44) and extending over the first gate trench (401), the p-type bulk region (44), the n-type source region (45), and the control gate (43) in the first gate trench (401) all being connected to an external source voltage via a source metal layer (47) in the source contact hole (404).
(FR)
L'invention relève du domaine technique des dispositifs d'alimentation à semi-conducteur. Elle concerne un dispositif d'alimentation à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur de type n (400) et les éléments suivants situés dans le substrat semi-conducteur de type n (400) : au moins un ensemble constitué d'une première tranchée de grille (401) et d'une seconde tranchée de grille (402) adjacentes l'une à l'autre ; une région massive de type p (44) située entre la première tranchée de grille (401) et la seconde tranchée de grille (402) ; une région de source de type n (45) située dans la région massive de type p (44) ; une couche diélectrique de grille (42) et une grille de commande (43) respectivement situées dans la première tranchée de grille (401) et la seconde tranchée de grille (402) ; et un trou de contact de source (404) situé sur la région massive de type p (44) et s'étendant sur la première tranchée de grille (401). La région massive de type p (44), la région de source de type n (45) et la grille de commande (43) dans la première tranchée de grille (401) sont toutes raccordées à une tension de source externe par l'intermédiaire d'une couche métallique de source (47) dans le trou de contact de source (404).
(ZH)
属于半导体功率器件技术领域,一种半导体功率器件,包括:n型半导体衬底(400),以及位于所述n型半导体衬底(400)中的:至少一组相邻的第一栅沟槽(401)和第二栅沟槽(402);位于所述第一栅沟槽(401)和所述第二栅沟槽(402)之间的p型体区(44);位于所述p型体区(44)中的n型源区(45);分别位于所述第一栅沟槽(401)和所述第二栅沟槽(402)中的栅介质层(42)和控制栅(43);位于所述p型体区(44)上方的一个源极接触孔(404),所述源极接触孔(404)延伸至所述第一栅沟槽(401)上方,所述p型体区(44)、所述n型源区(45)和所述第一栅沟槽(401)中的控制栅(43)均通过所述源极接触孔(404)中的源极金属层(47)外接源极电压。
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