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1. WO2020063918 - DISPOSITIF ÉLECTRIQUE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/063918
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108739
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 29/739 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739commandés par effet de champ
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
CPC
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
H01L 29/417
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
H01L 29/739
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 苏州东微半导体有限公司 SUZHOU ORIENTAL SEMICONDUCTOR CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘磊 LIU, Lei
  • 刘伟 LIU, Wei
  • 毛振东 MAO, Zhendong
  • 袁愿林 YUAN, Yuanlin
  • 王睿 WANG, Rui
Mandataires
  • 北京品源专利代理有限公司 BEYOND ATTORNEYS AT LAW
Données relatives à la priorité
201811147319.129.09.2018CN
201811147326.129.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体功率器件
Abrégé
(EN)
A semiconductor power device, comprising: a semiconductor substrate (200); gate trenches (201) and body regions (26) located in the semiconductor substrate (200) and sequentially alternately arranged at intervals; a gate dielectric layer (22), a first control gate (33), a second control gate (23), an isolation dielectric layer (24) and a shield gate (25) located in each of the gate trenches (201); a source region (27) located in each of the body regions (26) and close to one side of the second control gate (23); and a source electrode contact hole (203) located above each of the body regions (26), wherein the source electrode contact hole (203) extends towards one side of the first control gate (33) to above the gate trench (201); and the source region (27), the body region (26), the first control gate (33) and the shield gate (25) are all externally connected to a source electrode voltage by means of a source electrode metal layer (29) inside the source electrode contact hole (203).
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'alimentation à semi-conducteur, comprenant : un substrat semi-conducteur (200) ; des tranchées de grille (201) et des régions de corps (26) situées dans le substrat semi-conducteur (200) et disposées en alternance de manière séquentielle à des intervalles ; une couche diélectrique de grille (22), une première grille de commande (33), une seconde grille de commande (23), une couche diélectrique d'isolation (24) et une grille de blindage (25) situées dans chacune des tranchées de grille (201) ; une région de source (27) située dans chacune des régions de corps (26) et à proximité d'un côté de la seconde grille de commande (23) ; et un trou de contact d'électrode de source (203) situé au-dessus de chacune des régions de corps (26), le trou de contact d'électrode de source (203) s'étendant vers un côté de la première grille de commande (33) au-dessus de la tranchée de grille (201) ; et la région de source (27), la région de corps (26), la première grille de commande (33) et la grille de blindage (25) étant toutes connectées extérieurement à une tension d'électrode de source au moyen d'une couche métallique d'électrode de source (29) à l'intérieur du trou de contact d'électrode de source (203).
(ZH)
一种半导体功率器件,包括:半导体衬底(200);位于所述半导体衬底(200)中且依次间隔交替排列的栅沟槽(201)和体区(26);位于所述栅沟槽(201)中的栅介质层(22)、第一控制栅(33)、第二控制栅(23)、隔离介质层(24)和屏蔽栅(25);位于所述体区(26)中且靠近所述第二控制栅(23)一侧的源区(27);位于所述体区(26)上方的一个源极接触孔(203),所述源极接触孔(203)向所述第一控制栅(33)一侧延伸至所述栅沟槽(201)上方;所述源区(27)、所述体区(26)、所述第一控制栅(33)和所述屏蔽栅(25)均通过所述源极接触孔(203)中的源极金属层(29)外接源极电压。
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