Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020063592 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2020/063592
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/107552
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/12 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
12ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
Déposants
  • TCL科技集团股份有限公司 TCL TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 苏亮 SU, Liang
  • 谢相伟 XIE, Xiangwei
Mandataires
  • 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SHENZHEN)
Données relatives à la priorité
201811150182.529.09.2018CN
201811150184.429.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES
(ZH) 一种量子点发光二极管
Abrégé
(EN)
Disclosed is a quantum dot light-emitting diode, comprising a hole function layer arranged between an anode and a quantum dot light-emitting layer, wherein the hole function layer comprises a hole transport layer and a hole buffer layer; the hole transport layer is arranged close to the anode; the hole buffer layer is arranged close to the quantum dot light-emitting layer and comprises a first hole buffer sub-layer arranged affixed to the hole transport layer; and the material of the first hole buffer sub-layer is a first hole buffer material or a combined material composed of the first hole buffer material and a first hole transport material. The conductance of the first hole buffer material is less than 1 × 10-8 Sm-1, or, the hole mobility of the first hole buffer material is less than 1 × 10-6 cm2V-1s-1.
(FR)
Cette invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques, comprenant une couche fonctionnelle de trous disposée entre une anode et une couche émettrice de lumière à points quantiques, la couche fonctionnelle de trous comprenant une couche de transport de trous et une couche tampon de trous ; la couche de transport de trous est disposée à proximité de l'anode ; la couche tampon de trous est disposée à proximité de la couche émettrice de lumière à points quantiques et comprend une première sous-couche tampon de trous disposée fixée à la couche de transport de trous ; enfin, le matériau de la première sous-couche tampon de trous est un premier matériau tampon de trous ou un matériau combiné composé du premier matériau tampon de trous et d'un premier matériau de transport de trous. La conductance du premier matériau tampon de trous est inférieure à 1 × 10-8Sm-14, ou, la mobilité des trous du premier matériau tampon de trous est inférieure à 1 × 10-6 cm2V-1s-1.
(ZH)
公开一种量子点发光二极管,其包括设置在所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层,所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴缓冲层,所述空穴传输层靠近所述阳极设置,所述空穴缓冲层靠近所述量子点发光层设置,所述空穴缓冲层包括一层与所述空穴传输层贴合设置的第一空穴缓冲子层,所述第一空穴缓冲子层的材料为第一空穴缓冲材料或者为由第一空穴缓冲材料和第一空穴传输材料组成的混合材料,其中所述第一空穴缓冲材料的电导率小于1×10 -8Sm -1或者所述第一空穴缓冲材料的空穴迁移率小于1×10 -6cm 2V -1s -1
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international