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1. WO2020062666 - TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/062666
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/123482
Date du dépôt international 25.12.2018
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 29/41733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41733for thin film transistors with insulated gate
H01L 29/41775
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41775characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
H01L 29/66742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Déposants
  • 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 NANJING CEC PANDA FPD TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 NANJING CEC PANDA LCD TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 南京华东电子信息科技股份有限公司 NANJING HUADONG ELECTRONICS INFORMATION & TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 戴超 DAI, Chao
  • 赵文达 ZHAO, Wenda
  • 任洋洋 REN, Yangyang
  • 王志军 WANG, Zhijun
Mandataires
  • 北京集佳知识产权代理有限公司 UNITALEN ATTORNEYS AT LAW
Données relatives à la priorité
201811153521.530.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制造方法
Abrégé
(EN)
A thin-film transistor structure and a fabrication method. A thin-film transistor is fit on a substrate, and comprises: a gate (01); a gate insulating layer (02) which covers the gate; a semiconductor layer (03) which is located above the gate insulating layer; a first electrode (04) and a second electrode (06) which are located on different layers, the first electrode and the second electrode both being in contact with the semiconductor layer; and an isolation layer (05) which is located between the first electrode and the second electrode and which covers a portion of the semiconductor layer, wherein the isolation layer is provided with a first contact hole (07) on the semiconductor layer, and the second electrode makes contact with the semiconductor layer by means of the first contact hole. The present invention may achieve a pixel design that has ultra-high resolution and stronger thin-film transistor drive capabilities.
(FR)
La présente invention concerne une structure de transistor à couches minces et un procédé de fabrication. Un transistor à couches minces est ajusté sur un substrat, et comprend : une grille (01) ; une couche d'isolation de grille (02) qui recouvre la grille ; une couche semi-conductrice (03) qui est située au-dessus de la couche d'isolation de grille ; une première électrode (04) et une seconde électrode (06) qui sont situées sur différentes couches, la première électrode et la seconde électrode étant toutes deux en contact avec la couche semi-conductrice ; et une couche d'isolation (05) qui est située entre la première électrode et la seconde électrode et qui recouvre une partie de la couche semi-conductrice, la couche d'isolation étant pourvue d'un premier trou de contact (07) sur la couche semi-conductrice, et la seconde électrode entrant en contact avec la couche semi-conductrice au moyen du premier trou de contact. La présente invention peut réaliser une conception de pixel qui présente des capacités supérieures d'excitation de transistor à couches minces et une ultra-haute résolution.
(ZH)
一种薄膜晶体管结构和制造方法。薄膜晶体管适配于基板上,包括:栅极(01);栅极绝缘层(02),覆盖栅极;半导体层(03),位于栅极绝缘层的上方;位于不同层的第一电极(04)和第二电极(06),第一电极和第二电极均与半导体层接触;隔离层(05),位于第一电极和第二电极之间且覆盖部分半导体层,隔离层在半导体层上设有第一接触孔(07),第二电极通过第一接触孔与半导体层接触。能够实现超高解析度的像素设计和更强的薄膜晶体管驱动能力。
Également publié en tant que
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