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1. WO2020062363 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/062363
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/111050
Date du dépôt international 19.10.2018
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Déposants
  • 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO), CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张晓东 ZHANG, Xiaodong
  • 林文魁 LIN, Wenkui
  • 张宝顺 ZHANG, Baoshun
Mandataires
  • 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) NANJING LI & FENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SPECIAL GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201811127157.526.09.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体光电子器件的制作方法
Abrégé
(EN)
A method for fabricating a semiconductor optoelectronic device, the fabricating method comprising a step of growing and forming an optoelectronic device structure on a substrate, the optoelectronic device structure comprising an N-type layer, an active zone light-emitting layer, and a P-type layer; and further comprising: providing a mask on the optoelectronic device structure, and using the mask to perform ion implantation on any one or more among the N-type layer, the active zone light-emitting layer, and the P-type layer, thereby regulating the area and/or shape of a light-exiting region of the optoelectronic device structure. The present fabricating method may take increasing the effective usage area of a chip, lowering the damage effect to a sidewall of a material, eliminating the problem of optical crosstalk of a device, and improving the light-emitting efficiency of the device into consideration; moreover, the space between high impedance isolation regions (1, 3) may be precisely regulated in practical production by means of changing the size of a mask, thereby flexibly defining the characteristic size of a chip so as to prepare devices having a size of several microns to several hundred microns.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique à semi-conducteur, le procédé de fabrication comprenant une étape de développement et de formation d'une structure de dispositif optoélectronique sur un substrat, la structure de dispositif optoélectronique comprenant une couche de type N, une couche électroluminescente de zone active, et une couche de type P; et comprenant en outre : la fourniture d'un masque sur la structure de dispositif optoélectronique, et l'utilisation du masque pour effectuer une implantation ionique sur une ou plusieurs couches parmi la couche de type N, la couche électroluminescente de zone active et la couche de type P, ce qui permet de réguler la superficie et/ou la forme d'une région de sortie de lumière de la structure de dispositif optoélectronique. Le présent procédé de fabrication peut prendre en compte l'augmentation de la superficie d'utilisation effective d'une puce, la réduction de l'effet d'endommagement sur une paroi latérale d'un matériau, éliminant le problème de diaphonie optique d'un dispositif, et améliorant le rendement de luminescence du dispositif; en outre, l'espace entre des régions d'isolation à haute impédance (1, 3) peut être régulée avec précision dans une production pratique en changeant la taille d'un masque, ce qui permet de définir de manière flexible la taille caractéristique d'une puce de façon à préparer des dispositifs qui ont une taille de plusieurs microns à plusieurs centaines de microns.
(ZH)
一种半导体光电子器件的制作方法,所述制作方法包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤,所述光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层;以及还包括:在所述光电子器件结构上设置掩模,并利用所述掩模对所述N型层、有源区发光层及P型层中的任一者或多种进行离子注入,从而调控所述光电子器件结构的出光区域的面积和/或形状。本制作方法能够兼顾到提高芯片有效使用面积、降低材料侧壁损伤效应、消除器件光串扰问题、提升器件发光效率等;在实际生产中通过改变掩模尺寸可以精确调节高阻态隔离区域(1,3)的间距,从而灵活定义芯片的特征尺寸,实现数微米至数百微米尺寸的器件制备。
Également publié en tant que
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