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1. WO2020023907 - INTÉGRATION ALTERNATIVE POUR PROCESSUS DE COUCHE DE REDISTRIBUTION

Numéro de publication WO/2020/023907
Date de publication 30.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/043729
Date du dépôt international 26.07.2019
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
H01L 21/76885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76885By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs
H01L 2224/0231
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0231Manufacturing methods of the redistribution layers
H01L 2224/02311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0231Manufacturing methods of the redistribution layers
02311Additive methods
H01L 24/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • OBERST, Justin
  • BUCKALEW, Bryan L.
  • BANIK, Stephen J.
Mandataires
  • SCHEER, Bradley W.
  • BLACK, David W., USPTO Reg. No. 42,331
  • LANG, Roger, USPTO Reg., No. 58,829
  • PERDOK, Monique M., USPTO Reg. No. 42,989
Données relatives à la priorité
62/703,76226.07.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ALTERNATIVE INTEGRATION FOR REDISTRIBUTION LAYER PROCESS
(FR) INTÉGRATION ALTERNATIVE POUR PROCESSUS DE COUCHE DE REDISTRIBUTION
Abrégé
(EN)
In one example, a method for redistribution layer (RDL) process is described. A substrate is provided. A dielectric layer is deposited on top of the substrate. The dielectric layer is patterned. A barrier and copper seed layer are deposited on top of the dielectric layer. A photoresist layer is applied on top of the barrier and copper seed layer. The photoresist layer is patterned to correspond with the dielectric layer pattern. Copper is electrodepositing in the patterned regions exposed by the photoresist layer. The photoresist layer is removed. The copper and seed barrier are etched.
(FR)
Selon un exemple, la présente invention concerne un procédé pour un processus de couche de redistribution (RDL). Un substrat est fourni. Une couche diélectrique est déposée sur le dessus du substrat. Des motifs sont formés sur la couche diélectrique. Une barrière et une couche de germe de cuivre sont déposées au-dessus de la couche diélectrique. Une couche de résine photosensible est appliquée au-dessus de la barrière et de la couche de germe de cuivre. Des motifs sont formés sur la couche de résine photosensible de façon à correspondre au motif de couche diélectrique. Le cuivre est électrodéposé dans les régions à motifs rendues apparentes par la couche de résine photosensible. La couche de résine photosensible est retirée. La barrière et le germe de cuivre sont attaqués.
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