Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020023743 - CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ D'UNE RÉSISTANCE À FILM MINCE À PAROIS MÉTALLIQUES

Numéro de publication WO/2020/023743
Date de publication 30.01.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/043432
Date du dépôt international 25.07.2019
CIB
H01L 21/70 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
H01L 49/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à film mince ou à film épais
H01C 7/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
CRÉSISTANCES
7Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
CPC
H01L 23/5226
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5226Via connections in a multilevel interconnection structure
H01L 23/5228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5228Resistive arrangements or effects of, or between, wiring layers
H01L 23/562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
562Protection against mechanical damage
H01L 23/585
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
585comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
H01L 25/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
H01L 25/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
Déposants
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US]/[US]
  • TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP]/[JP] (JP)
Inventeurs
  • HONG, Qi-Zhong
  • GUO, Honglin
  • TIMMER, Benjamin James
  • SHINN, Gregory Boyd
Mandataires
  • EBBY, Abraham
  • GARNER, Jacqueline
Représentant commun
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Données relatives à la priorité
16/047,88927.07.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IC WITH THIN FILM RESISTOR WITH METAL WALLS
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ DOTÉ D'UNE RÉSISTANCE À FILM MINCE À PAROIS MÉTALLIQUES
Abrégé
(EN)
An integrated circuit (IC) (100) includes a substrate having a semiconductor surface layer (102) with functional circuitry for realizing at least one circuit function, with an inter level dielectric (ILD) layer (112) on a metal layer (118) that is above the semiconductor surface layer (102). A thin film resistor (TFR) including a TFR layer is on the ILD layer. At least one vertical metal wall (108) is on at least two sides of the TFR. The metal walls include at least 2 metal levels coupled by filled vias (126). The functional circuitry is outside the metal walls.
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré (CI) (100) qui comprend un substrat ayant une couche de surface semi-conductrice (102) dotée d'un ensemble de circuits fonctionnels pour réaliser au moins une fonction de circuit, une couche diélectrique inter-niveau (ILD) se trouvant sur une couche métallique (118) qui est au-dessus de la couche de surface semi-conductrice (102). Une résistance à couche mince (TFR) comprenant une couche TFR est sur la couche ILD. Au moins une paroi métallique verticale (108) se trouve sur au moins deux côtés de la TFR. Les parois métalliques comprennent au moins 2 niveaux métalliques couplés par des trous d'interconnexion remplis (126). L'ensemble de circuits fonctionnels est à l'extérieur des parois métalliques.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international