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1. WO2020017338 - ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE ET MODULE DE TÉLÉMÉTRIE

Numéro de publication WO/2020/017338
Date de publication 23.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/026573
Date du dépôt international 04.07.2019
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
G01S 7/481 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
SDÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
7Détails des systèmes correspondant aux groupes G01S13/, G01S15/, G01S17/135
48de systèmes selon le groupe G01S17/56
481Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/89 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
SDÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
17Systèmes utilisant la réflexion ou la reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p.ex. systèmes lidar
88Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques
89pour la cartographie ou l'imagerie
H01L 27/144 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
H01L 31/0232 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0232Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
G01J 1/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
02Details
G01S 17/89
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
88Lidar systems specially adapted for specific applications
89for mapping or imaging
G01S 7/481
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
481Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
H01L 27/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 荻田 知治 OGITA Tomoharu
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2018-13535018.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT RECEIVING ELEMENT AND RANGE FINDING MODULE
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE ET MODULE DE TÉLÉMÉTRIE
(JA) 受光素子および測距モジュール
Abrégé
(EN)
The present technology relates to a light receiving element and a range finding module, which are able to have improved characteristics. A light receiving element according to the present technology is provided with an on-chip lens, a wiring line layer, and a semiconductor layer that is arranged between the on-chip lens and the wiring line layer. The semiconductor layer is provided with: a first voltage application part to which a first voltage is applied; a second voltage application part to which a second voltage that is different from the first voltage is applied; a first charge detection part which is arranged around the first voltage application part; a second charge detection part which is arranged around the second voltage application part; and a pixel isolation part which divides the semiconductor layer at least to a predetermined depth at the boundary of adjacent pixels. The semiconductor layer is configured such that a third voltage is applied to the pixel isolation part. The present technology is applicable, for example, to a light receiving element which produces range information by means of a ToF method, or the like.
(FR)
La présente technologie concerne un élément de réception de lumière et un module de télémétrie, qui peuvent avoir des caractéristiques améliorées. Un élément de réception de lumière selon la présente invention est muni d'une lentille sur puce, d'une couche de ligne de câblage et d'une couche semi-conductrice qui est disposée entre la lentille sur puce et la couche de ligne de câblage. La couche semi-conductrice comporte : une première partie d'application de tension à laquelle une première tension est appliquée : une seconde partie d'application de tension à laquelle est appliquée une seconde tension qui est différente de la première tension; une première partie de détection de charge qui est disposée autour de la première partie d'application de tension; et une seconde partie de détection de charge qui est disposée autour de la deuxième partie d'application de tension. La couche semi-conductrice est configurée de telle sorte qu'une troisième tension est appliquée à la partie d'isolation de pixel. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un élément de réception de lumière qui produit des informations de plage au moyen d'un procédé de temps de vol, ou analogue.
(JA)
本技術は、特性を向上させることができるようにする受光素子および測距モジュールに関する。 受光素子は、オンチップレンズと、配線層と、オンチップレンズと配線層との間に配される半導体層とを備え、半導体層は、第1の電圧が印加される第1の電圧印加部と、第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される第2の電圧印加部と、第1の電圧印加部の周囲に配置される第1の電荷検出部と、第2の電圧印加部の周囲に配置される第2の電荷検出部と、隣接する画素の境界部分において少なくとも所定の深さまで半導体層を分離する画素分離部とを備え、画素分離部に第3の電圧が印加されるように構成されている。本技術は、例えば、ToF方式で距離情報を生成する受光素子等に適用できる。
Également publié en tant que
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