Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020017223 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/017223
Date de publication 23.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/024231
Date du dépôt international 19.06.2019
CIB
H01S 5/343 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01S 5/343
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中山 雄介 NAKAYAMA, Yuusuke
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2018-13662620.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor light emitting element according to one embodiment of the present invention includes: a GaN substrate that has a major plane which is a semipolar plane or a nonpolar plane inclined from a c-plane in the direction of an m-axis or an a-axis in the range of 20° to 90°; an active layer provided on the GaN substrate; and an n-type cladding layer which is provided between the GaN substrate and the active layer, and which has a first layer that comprises AlGaInN containing 0.5% or more of indium (In) on the active layer side and a second layer that has a refractive index that is lower than that of the first layer on the substrate side.
(FR)
Un élément électroluminescent à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat de GaN qui a un plan principal qui est un plan semi-polaire ou un plan non polaire incliné par rapport à un plan c dans la direction d'un axe m ou un axe a dans la plage de 20° à 90°; une couche active disposée sur le substrat de GaN ; et une couche de gainage de type n qui est disposée entre le substrat de GaN et la couche active, et qui a une première couche qui comprend de l'AlGaInN contenant 0,5 % ou plus d'indium (in) sur le côté couche active et une seconde couche qui a un indice de réfraction qui est inférieur à celui de la première couche sur le côté substrat.
(JA)
本開示の一実施形態の半導体発光素子は、c面からm軸方向またはa軸方向に20°以上90°以下の範囲で傾斜した半極性面または非極性面を主面とするGaN基板と、GaN基板上に設けられた活性層と、GaN基板と活性層との間に設けられると共に、活性層側にインジウム(In)を0.5%以上含むAlGaInNからなる第1層および基板側に第1層よりも屈折率の低い第2層と有するn型クラッド層とを備える。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international