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1. WO2020009054 - COMPOSITION DE POLISSAGE

Numéro de publication WO/2020/009054
Date de publication 09.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/026040
Date du dépôt international 01.07.2019
CIB
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
B24B 37/00 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • 住友精化株式会社 SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 増田 剛 MASUDA, Tsuyoshi
  • 西口 英明 NISHIGUCHI, Hideaki
Mandataires
  • 特許業務法人三枝国際特許事務所 SAEGUSA & PARTNERS
Données relatives à la priorité
2018-12723904.07.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
Abrégé
(EN)
The present invention provides a polishing means which is capable of improving the flatness of a substrate without significantly reducing the polishing rate. The present invention specifically provides a polishing composition which contains inorganic particles, water and a modified polyalkylene oxide that is represented by formula (1). (In the formula, each R1 independently represents a group represented by R11-(O-R12)x-; each R11 independently represents an alkyl group having 1-24 carbon atoms; each R12 independently represents an alkylene group having 2-4 carbon atoms; x represents an integer of 0-500; each R2 independently represents a hydrocarbon group; each R3 independently represents an alkylene group having 2-4 carbon atoms; n represents an integer of 1-1,000; and m represents an integer of 1 or more.)
(FR)
La présente invention concerne un moyen de polissage qui est apte à améliorer la planéité d'un substrat sans réduire considérablement la vitesse de polissage. La présente invention concerne spécifiquement une composition de polissage qui contient des particules inorganiques, de l'eau et un oxyde de polyalkylène modifié qui est représenté par la formule (1). (Dans La formule, chaque R1 représente indépendamment un groupe représenté par R11-(O-R12)x- ; chaque R11 représente indépendamment un groupe alkyle possédant de 1 à 24 atomes de carbone ; chaque R12 représente indépendamment un groupe alkylène possédant de 2 à 4 atomes de carbone ; x représente un nombre entier compris entre 0 et 500 ; chaque R2 représente indépendamment un groupe hydrocarboné ; chaque R3 représente indépendamment un groupe alkylène possédant de 2 à 4 atomes de carbone ; n représente un nombre entier compris entre 1 et 1 000 ; et m représente un nombre entier supérieur ou égal à 1.)
(JA)
研磨速度を著しく低下させずとも基板の平坦性を改善可能な研磨手法が提供される。 より具体的には、無機粒子、水、及び式(1): (式中、Rは、それぞれ独立に、R11-(O-R12-で表される基を示す。R11は、それぞれ独立に、炭素数1~24のアルキル基を示し、R12は、それぞれ独立に、炭素数2~4のアルキレン基を示し、xは0~500の整数を示す。Rは、それぞれ独立に、炭化水素基を示す。Rは、それぞれ独立に、炭素数2~4のアルキレン基を示す。nは1~1000の整数を示し、mは1以上の整数を示す。)で表されるポリアルキレンオキシド変性物 を含有する、研磨用組成物が提供される。
Également publié en tant que
JP2020528848
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