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1. WO2020006797 - PÂTE D'ARGENT ARRIÈRE CHAMP ARRIÈRE ENTIÈREMENT EN ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SON UTILISATION

Numéro de publication WO/2020/006797
Date de publication 09.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/098230
Date du dépôt international 02.08.2018
CIB
H01B 1/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
CPC
H01B 1/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
22the conductive material comprising metals or alloys
H01B 13/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
13Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
H01L 31/022441
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
H01L 31/02245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
02245for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • 南通天盛新能源股份有限公司 NANTONG T-SUN NEW ENERGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 朱鹏 ZHU, Peng
Données relatives à la priorité
201810739434.106.07.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ALL-ALUMINUM BACK-FIELD BACK SILVER PASTE AND PREPARATION METHOD THEREFOR AND USE THEREOF
(FR) PÂTE D'ARGENT ARRIÈRE CHAMP ARRIÈRE ENTIÈREMENT EN ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SON UTILISATION
(ZH) 一种全铝背场背银浆料及其制备方法与应用
Abrégé
(EN)
Disclosed are an all-aluminum back-field back silver paste and a preparation method therefor and the use thereof. The all-aluminum back-field back silver paste comprises the following components in parts by weight: 10-80 parts of a silver powder with a special requirement and a purity of greater than 99.99%, 0.5-5 parts of a house-made and lead-free main body glass powder, 0-3 parts of an auxiliary glass powder with a low melting point, 1-50 parts of a metal powder with a special requirement and a low melting point, 15-50 parts of an organic binder, and 0.01-1 part of an organic auxiliary agent. The all-aluminum back-field back silver paste can be directly printed onto an aluminum back field paste, thereby making sure that the aluminum back field paste has a considerable welding tension and aging tension, and avoiding the problem of serious electric leakages caused by metal defects created by the direct contact between silver and a silicon wafer, thus improving the photoelectric conversion efficiency of a crystalline silicon battery, and the width of a back electrode and the printed pattern can be freely adjusted, thus reducing the cost of a back electrode paste.
(FR)
La présente invention concerne un pâte d'argent arrière à champ arrière entièrement en aluminium et son procédé de préparation et son utilisation. La pâte d'argent arrière à champ arrière entièrement en aluminium comprend les constituants suivants en parties en poids : de 10 à 80 parties d'une poudre d'argent ayant une exigence spéciale et une pureté supérieure à 99,99 %, de 0,5 à 5 parties d'une poudre de verre de corps principal sans plomb maison, de 0 à 3 parties d'une poudre de verre auxiliaire ayant un point de fusion bas, de 1 à 50 parties d'une poudre métallique ayant une exigence spéciale et un point de fusion bas, de 15 à 50 parties d'un liant organique, et de 0,01 à 1 partie d'un agent auxiliaire organique. La pâte d'argent arrière à champ arrière entièrement en aluminium peut être directement imprimée sur une pâte à champ arrière en aluminium, ce qui permet de s'assurer que la pâte à champ arrière en aluminium présente une tension de soudage et une tension de vieillissement considérables, et d'éviter le problème de fuites électriques graves provoquées par des défauts métalliques créés par le contact direct entre l'argent et une tranche de silicium, améliorant ainsi l'efficacité de conversion photoélectrique d'une batterie au silicium cristallin, et la largeur d'une électrode arrière et du motif imprimé pouvant être réglée librement, réduisant ainsi le coût d'une pâte d'électrode arrière.
(ZH)
一种全铝背场背银浆料及其制备方法与应用,该全铝背场背银浆料按照重量份数包括如下:纯度大于99.99%的特殊要求银粉10~80份,自制无铅主体玻璃粉0.5~5份,低熔点辅玻璃粉0~3份,特殊要求的低熔点金属粉体1~50份、有机粘结剂15~50份、有机助剂0.01~1份。该全铝背场背银浆料可以直接印刷在铝背场浆料上,并保证其具有可观的焊接拉力及老化拉力,避免银和硅片直接接触产生金属缺陷而引起的严重漏电问题,从而提高晶硅电池的光电转换效率,并且可以随意调节背电极宽度及印刷图形,从而降低背电极浆料成本。
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