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1. WO2020005009 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/005009
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/007884
Date du dépôt international 28.06.2019
CIB
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
CPC
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 성연준 SUNG, Youn Joon
Mandataires
  • 특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2018-007601729.06.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 소자
Abrégé
(EN)
Disclosed in an embodiment is a semiconductor device comprising: a conductive substrate; a semiconductor structure, which is arranged on the conductive substrate, comprises a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer arranged between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, and comprises a plurality of recesses which pass through the second conductive type semiconductor layer and the active layer and up to a partial region of the first conductive type semiconductor layer; a first electrode electrically connecting the first conductive type semiconductor layer to the conductive substrate; a second electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer; and an insulating layer arranged inside the plurality of recesses, wherein the plurality of recesses comprise a first recess extending along the outer surface of the semiconductor structure and a plurality of second recesses arranged on the inner side of the first recess, the first electrode comprises a plurality of protrusion electrodes extending to the inside of the second recess so as to be electrically connected to the first conductive type semiconductor layer, the active layer comprises an inactive area arranged between a side surface of the semiconductor structure and the first recess, and an active area arranged on the inner side of the first recess, and the emission intensity of the inactive area is less than the emission intensity of the active area.
(FR)
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant: un substrat conducteur; une structure semi-conductrice, qui est disposée sur le substrat conducteur, comprend une première couche semi-conductrice de type conducteur, une seconde couche semi-conductrice de type conducteur, et une couche active disposée entre la première couche semi-conductrice de type conducteur et la seconde couche semi-conductrice de type conducteur, et comprend une pluralité d'évidements qui traversent la première couche semi-conductrice de type conducteur et la couche active et remontent jusqu'à une région partielle de la première couche semi-conductrice de type conducteur; une première électrode connectant électriquement la première couche de semi-conducteur de type conducteur au substrat conducteur; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde couche semi-conductrice de type conducteur; et une couche isolante disposée à l'intérieur de la pluralité d'évidements, la pluralité d'évidements comprenant un premier évidement s'étendant le long de la surface extérieure de la structure semi-conductrice et une pluralité de seconds évidements agencés sur le côté intérieur du premier évidement, la première électrode comprend une pluralité d'électrodes en saillie s'étendant vers l'intérieur du second évidement de façon à être électriquement connectées à la première couche semi-conductrice de type conducteur, la couche active comprend une zone inactive disposée entre une surface latérale de la structure semi-conductrice et le premier évidement, et une zone active disposée sur le côté intérieur du premier évidement, l'intensité d'émission de la zone inactive étant inférieure à l'intensité d'émission de la zone active.
(KO)
실시 예는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 관통하는 복수의 리세스를 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 도전성 기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 복수의 리세스 내에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 복수의 리세스는 상기 반도체 구조물의 외측면을 따라 연장되는 제1 리세스 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치되는 복수 개의 제2 리세스를 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 리세스 내로 연장되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수의 돌출 전극을 포함하고, 상기 활성층은 상기 반도체 구조물 측면과 상기 제1 리세스 사이에 배치된 비활성영역, 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치된 활성영역을 포함하고, 상기 비활성영역의 발광 강도는 상기 활성영역의 발광 강도보다 작은 반도체 소자를 개시한다.
Également publié en tant que
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