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1. WO2020005006 - DISPOSITIF LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT COMPRENANT CE DERNIER

Numéro de publication WO/2020/005006
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/007880
Date du dépôt international 28.06.2019
CIB
H01S 5/323 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
323dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01S 5/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
F21S 41/16 2018.01
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21ÉCLAIRAGE
SDISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE NON PORTATIFS; SYSTÈMES DE TELS DISPOSITIFS; DISPOSITIFS D’ÉCLAIRAGE DE VÉHICULES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À L’EXTÉRIEUR DES VÉHICULES
41Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares
10caractérisés par la source lumineuse
14caractérisés par le type de source lumineuse
16Sources lumineuses laser
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
F21Y 115/30 2016.01
FMÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
21ÉCLAIRAGE
YSCHÉMA D'INDEXATION ASSOCIÉ AUX SOUS-CLASSES F21K, F21L, F21S ET F21V125
115Éléments générateurs de lumière de sources lumineuses à semi-conducteurs
30Lasers à semi-conducteurs
CPC
F21S 41/16
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
41Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
10characterised by the light source
14characterised by the type of light source
16Laser light sources
H01S 5/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
H01S 5/323
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
323in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, ; InP-based laser
Déposants
  • 엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이정식 LEE, Jeong Sik
  • 한상헌 HAN, Sang Heon
  • 박근욱 PARK, Keun Uk
  • 윤여제 YOON, Yeo Jae
Mandataires
  • 허용록 HAW, Yong Noke
Données relatives à la priorité
10-2018-007586829.06.2018KR
10-2018-008161313.07.2018KR
10-2018-008831330.07.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SURFACE-EMITTING LASER DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT COMPRENANT CE DERNIER
(KO) 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치
Abrégé
(EN)
An embodiment relates to a surface-emitting laser device and a light-emitting device including same. A surface-emitting laser device according to the embodiment can include: a first reflective layer; an active area disposed on the first reflective layer; an aperture area disposed on the active area; and a second reflective layer disposed on the aperture area. The second reflective layer can include: a first AlGaAs-based layer comprising Alx1Ga(1-x1)As (wherein 0x2Ga(1-x2)As (wherein 0.8x3Ga(1-x3)As (wherein 0x4Ga(1-x4)As (wherein 0.8(FR)
La présente invention se rapporte, selon un mode de réalisation, à un dispositif laser à émission par la surface et à un dispositif électroluminescent comprenant ce dernier. Un dispositif laser à émission par la surface selon le mode de réalisation peut comprendre : une première couche réfléchissante; une zone active disposée sur la première couche réfléchissante; une zone d'ouverture disposée sur la zone active; et une seconde couche réfléchissante disposée sur la zone d'ouverture. La seconde couche réfléchissante peut comprendre : une première couche à base d'AlGaAs comprenant Alx1Ga(1-x1)As (dans laquelle 0x2Ga(1 - x2)As (dans laquelle 0,8 < X2 < 1,0); et une zone de transition à base d'AlGaAs disposée entre la première couche à base d'AlGaAs et la deuxième couche à base d'AlGaAs. La zone de transition à base d'AlGaAs peut comprendre : une troisième couche à base d'AlGaAs comprenant Alx3Ga(1 - x3)As (dans laquelle 0 < X3 < 0,2); et une quatrième couche à base d'AlGaAs comprenant Alx4Ga(1 - x4)As (dans laquelle 0,8 < X4 < 1,0).
(KO)
실시예는 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 표면발광 레이저소자는, 제1 반사층과, 상기 제1 반사층 상에 배치되는 활성영역과, 상기 활성영역 상에 배치되는 애퍼처 영역 및 상기 애퍼처 영역 상에 배치되는 제2 반사층을 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층은, Alx1Ga(1-x1)As(단, 0x2Ga(1-x2)As(단, 0.8x3Ga(1-x3)As(단, 0x4Ga(1-x4)As(단, 0.8
Également publié en tant que
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