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1. WO2020004991 - COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE POUR DISPOSITIFS D'ÉMISSION/RÉCEPTION DE SIGNAUX HAUTE FRÉQUENCE

Numéro de publication WO/2020/004991
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/007838
Date du dépôt international 27.06.2019
CIB
H01L 31/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
H01L 31/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
H01L 31/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
12structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources
16le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses
CPC
H01L 31/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
09Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation
H01P 1/127
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
10for switching or interrupting
12by mechanical chopper
127Strip line switches
H01P 1/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
10for switching or interrupting
15by semiconductor devices
H01P 5/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
5Coupling devices of the waveguide type
02with invariable factor of coupling
022Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
028between strip lines
H03K 17/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
H03K 17/74
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
74by the use, as active elements, of diodes
Déposants
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • LUKYANOV, Anton Sergeevich
  • SHEPELEVA, Elena Aleksandrovna
  • NIKISHOV, Artem Yurievich
  • EVTYUSHKIN, Gennadiy Aleksandrovich
  • MAKURIN, Mikhail Nikolaevich
  • KIM, Kisoo
  • YANG, Dongil
  • LEE, Jongin
Mandataires
  • Y.P.LEE,MOCK & PARTNERS
Données relatives à la priorité
10-2019-003320122.03.2019KR
201812329827.06.2018RU
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH FREQUENCY SWITCH FOR HIGH FREQUENCY SIGNAL TRANSMITTING/RECEIVING DEVICES
(FR) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE POUR DISPOSITIFS D'ÉMISSION/RÉCEPTION DE SIGNAUX HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé
(EN)
Disclosed is a high frequency switch including a substrate, a pair of ground sections provided on the substrate, a center conductor provided between the pair of ground sections, and a photoconductive semiconductor element provided on the center conductor and extending between the center conductor and the pair of ground sections.
(FR)
L'invention concerne un commutateur haute fréquence comprenant un substrat, une paire de sections de mise à la terre situées sur le substrat, un conducteur central situé entre la paire de sections de mise à la terre, et un élément semi-conducteur photoconducteur situé sur le conducteur central et s'étendant entre le conducteur central et la paire de sections de mise à la terre.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international