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1. WO2020004437 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2020/004437
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/025296
Date du dépôt international 26.06.2019
CIB
H01L 29/872 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
872Diodes Schottky
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/47 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
47Electrodes à barrière de Schottky
CPC
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
H01L 29/47
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
47Schottky barrier electrodes
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
Déposants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 甲谷 真吾 KABUTOYA, Shingo
Mandataires
  • 荒船 博司 ARAFUNE, Hiroshi
  • 荒船 良男 ARAFUNE, Yoshio
Données relatives à la priorité
2018-12465929.06.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE
(JA) 半導体デバイス及び電気装置
Abrégé
(EN)
The present invention improves a semiconductor device having a plurality of trenches in a semiconductor layer. A semiconductor device (1) comprises: a first layer (12) having a first semiconductor that includes a first conductivity type impurity; a second layer (13) having a second semiconductor that is in contact with the first layer, and that includes a first conductivity type impurity at a lower concentration than in the first semiconductor; a first electrode (21) that is in contact with a first surface of the first layer; and a second electrode (22) that is in contact with a second surface of the second layer. The second layer (13) further includes: a first trench (31a) having therein a third electrode (23) that is connected to the second electrode; and a second trench (33) that is positioned closer to the outer peripheral portion of the second layer than the first trench, and that has therein a fourth electrode (24) that is connected to the second electrode. The entire outer edge (22E) of the second electrode (22) is in contact with the fourth electrode (24).
(FR)
La présente invention améliore un dispositif à semi-conducteur ayant une pluralité de tranchées dans une couche semi-conductrice. Un dispositif à semi-conducteur (1) comprend : une première couche (12) ayant un premier semi-conducteur qui comprend une impureté de premier type de conductivité ; une seconde couche (13) ayant un second semi-conducteur qui est en contact avec la première couche, et qui comprend une impureté de premier type de conductivité à une concentration inférieure à celle dans le premier semi-conducteur ; une première électrode (21) qui est en contact avec une première surface de la première couche ; et une deuxième électrode (22) qui est en contact avec une seconde surface de la seconde couche. La deuxième couche (13) comprend en outre : une première tranchée (31a) dans laquelle est formée une troisième électrode (23) qui est connectée à la deuxième électrode ; et une deuxième tranchée (33) qui est positionnée plus près de la partie périphérique externe de la seconde couche que la première tranchée, et qui comporte en son sein une quatrième électrode (24) qui est connectée à la deuxième électrode. L'ensemble du bord externe (22E) de la deuxième électrode (22) est en contact avec la quatrième électrode (24).
(JA)
半導体層に複数のトレンチを有する半導体デバイスの改善を図る。第1導電型の不純物を含んだ第1半導体を有する第1層(12)と、第1層と接し、第1半導体よりも低濃度の第1導電型の不純物を含んだ第2半導体を有する第2層(13)と、第1層の第1面に接する第1電極(21)と、第2層の第2面に接する第2電極(22)とを備える半導体デバイス(1)である。第2層(13)は、第2電極と接続された第3電極(23)を内部に有する第1トレンチ(31a)と、第1トレンチよりも第2層の外周部の近くに位置し、第2電極と接続された第4電極(24)を内部に有する第2トレンチ(33)とを更に有し、第2電極(22)の全外周端(22E)が第4電極(24)に接している。
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