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1. WO2020003722 - ÉLÉMENT EN SIC

Numéro de publication WO/2020/003722
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/017417
Date du dépôt international 24.04.2019
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
C01B 32/956 2017.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
32Carbone; Ses composés
90Carbures
914Carbures d’un seul élément
956Carbure de silicium
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
C01B 32/956
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
90Carbides
914Carbides of single elements
956Silicon carbide
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H01L 21/68757
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68757characterised by a coating or a hardness or a material
H01L 21/68771
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68771characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Déposants
  • 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ FERROTEC MATERIAL TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • ワン・ジューダ WANG Zhida
Mandataires
  • 村上 友一 MURAKAMI Tomokazu
  • 関 博 SEKI Hiroshi
Données relatives à la priorité
2018-12152327.06.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SIC MEMBER
(FR) ÉLÉMENT EN SIC
(JA) SiC部材
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a technology of favorably ensuring an external appearance of a SiC member. The present invention is a SiC member characterized by comprising: a first SiC layer having a first upper surface and a first lower surface, the first upper surface having an unevenness; and a second SiC layer having a second upper surface and a second lower surface, the second lower surface contacting the first supper surface, and having an unevenness corresponding to the unevenness of the first upper surface. The second SiC layer has a recessed portion having a flat bottom surface that is recessed from the second upper surface to the second lower surface side. The bottom surface of the recessed portion is located above the second lower surface.
(FR)
L'invention porte sur une technologie permettant d'assurer favorablement un aspect externe d'un élément en SiC. La présente invention est un élément SiC caractérisé en ce qu'il comprend : une première couche de SiC comportant une première surface supérieure et une première surface inférieure, la première surface supérieure présentant une irrégularité ; et une seconde couche de SiC comportant une seconde surface supérieure et une seconde surface inférieure, la seconde surface inférieure étant en contact avec la première surface supérieure et présentant une irrégularité correspondant à l'inégalité de la première surface supérieure. La seconde couche de SiC possède une partie évidée présentant une surface inférieure plate qui est en retrait de la seconde surface supérieure au côté de la seconde surface inférieure. La surface inférieure de la partie évidée est située au-dessus de la seconde surface inférieure.
(JA)
本発明は、SiC部材の外観を良好に確保するための技術を提供することを目的とする。本発明は、第1上面と第1下面とを有し、前記第1上面が凹凸を有する第1SiC層と、第2上面と第2下面とを有し、前記第2下面が前記第1上面に接しており前記第1上面の凹凸に対応する凹凸を有する第2SiC層と、を備えており、前記第2SiC層は、前記第2上面から前記第2下面側へと凹状となっている、平坦な底面を有する凹部を有し、前記凹部の前記底面は、前記第2下面よりも上方に位置することを特徴とするSiC部材である。
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