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1. WO2020001694 - EMPILEMENT DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/001694
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/DE2019/100572
Date du dépôt international 20.06.2019
CIB
H01L 29/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
15Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/207 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
207caractérisés en outre par le matériau de dopage
CPC
H01L 29/157
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
15Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
157Doping structures, e.g. doping superlattices, nipi superlattices
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 29/207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
207further characterised by the doping material
Déposants
  • OTTO-VON-GUERICKE-UNIVERSITÄT MAGDEBURG [DE]/[DE]
Inventeurs
  • STRITTMATTER, André
  • DADGAR, Armin
Données relatives à la priorité
10 2018 115 222.125.06.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITERSCHICHTSTAPEL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR LAYER STACK AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) EMPILEMENT DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterschichtstapel, ein Bauelement hieraus und ein Bauelementemodul, sowie ein Herstellungsverfahren, wobei der Halbleiterschichtstapel, gekennzeichnet ist durch mindestens zwei Schichten (A, B), die als Einzelschichten jeweils eine energetische Lage des Ferminiveaus (103) in der Halbleiterbandlücke (104, 105) aufweisen, für die Schicht (A) Formula (I) gilt und für die Schicht (B) Formula (II) gilt, mit EF der energetischen Lage des Ferminiveaus (103), Ev der energetischen Lage eines Valenzbands (102), EL der energetischen Lage eines Leitungsbands (101) und EL - Ev der Energiedifferenz der Halbleiterbandlücke EG (104,105), wobei die Dicke (106, 107) der Schichten (A, B) so gewählt ist, dass sich ein zusammenhängender Raumladungszonenbereich (110) über die Schichten (A, B) ergibt.
(EN)
The invention relates to a semiconductor layer stack, to a component made therefrom and to a component module, and to a production method, the semiconductor layer stack being characterized by at least two layers (A, B), which, as individual layers, each have an energetic position of the Fermi level (103) in the semiconductor band gap (104, 105), formula (I) applying to the layer (A) and formula (II) applying to the layer B, with E F the energetic position of the Fermi level (103), E V the energetic position of a valence band (102), E L the energetic position of a conduction band (101) and E L - E V the energy difference of the semiconductor band gap E G (104, 105), the thickness (106, 107) of the layers (A, B) being selected in such a way that a continuous space charge region (110) over the layers (A, B) results.
(FR)
La présente invention concerne un empilement de couches semi-conductrices, un élément de celui-ci et un module d'éléments, ainsi qu'un procédé de fabrication, l'empilement de couches semi-conductrices étant caractérisé par au moins deux couches (A, B) qui présentent, en tant que couches individuelles, respectivement un niveau d'énergie du niveau de Fermi (103) dans la bande interdite (104, 105) de semi-conducteur, la formule (I) valant pour la couche (A) et la formule (II) valant pour la couche (B), avec E F du niveau d'énergie du niveau de Fermi (103), E v du niveau d'énergie d'une bande de valence (102), E L du niveau d'énergie d'une bande de conduction (101) et E L - E v de la différence d'énergie de la bande interdite du semi-conducteur E G (104, 105), l'épaisseur (106, 107) des couches (A, B) étant choisie de telle sorte qu'une zone de déplétion (110) connexe se crée sur les couches (A, B).
Également publié en tant que
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