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1. WO2020001679 - PROCÉDÉ SERVANT À DÉFINIR UNE DURÉE DE VIE D'UN MODULE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/001679
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/DE2019/100454
Date du dépôt international 22.05.2019
CIB
G01K 3/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
3Thermomètres donnant une indication autre que la valeur instantanée de la température
08fournissant des différences de valeurs; fournissant des valeurs différenciées
G01K 7/42 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
42Circuits pour réduire l'inertie thermique; Circuits pour prévoir la valeur stationnaire de la température
G01R 31/26 2014.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
CPC
G01K 3/08
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Thermometers giving results other than momentary value of temperature
08giving differences of values
G01K 7/42
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
42Circuits for reducing thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of temperature
G01R 31/2603
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
2601Apparatus or methods therefor
2603for curve tracing of semiconductor characteristics, e.g. on oscilloscope
G01R 31/2642
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
2642Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
Déposants
  • SCHAEFFLER TECHNOLOGIES AG & CO. KG [DE]/[DE]
Inventeurs
  • HERRMANN, Johannes
  • TIPPER, Jürgen
Données relatives à la priorité
10 2018 115 312.026.06.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINER LEBENSDAUER EINES HALBLEITERLEISTUNGSMODULS
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE SERVICE LIFE OF A SEMICONDUCTOR POWER MODULE
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À DÉFINIR UNE DURÉE DE VIE D'UN MODULE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung einer Lebensdauer eines Halbleiterleistungsmoduls, welches einen Elektromotor in einem Antriebsstrang eines Fahrzeuges ansteuert, wobei eine Temperatur des Halbleiterleistungsmoduls mittels eines Temperaturmodells bestimmt wird. Bei einem Verfahren, bei welchem eine zuverlässige Bestimmung der Lebensdauer des Halbleiterleistungsmoduls möglich ist, wird eine gemessene Temperatur des Halbleiterleistungsmoduls mit der mittels des Temperaturmodells bestimmten Temperatur des Halbleiterleistungsmoduls verglichen und aus dem Vergleich der beiden Temperaturen auf einen Status der Lebensdauer des Halbleiterleistungsmoduls geschlossen wird.
(EN)
The invention relates to a method for determining the service life of a semiconductor power module, which controls an electric motor in a drive train of a vehicle, wherein a temperature of the semiconductor power module is determined by means of a temperature model. In a method in which the service life of the semiconductor power module can be reliably determined, a measured temperature of the semiconductor power module is compared with the temperature of the semiconductor power module determined by means of the temperature model and the status of the service life of the semiconductor power module is inferred from the comparison of the two temperatures.
(FR)
L'invention concerne un procédé servant à définir une durée de vie d'un module de puissance à semi-conducteurs, lequel pilote un moteur électrique dans une chaîne cinématique d'un véhicule. Une température du module de puissance à semi-conducteurs est définie au moyen d'un modèle de température. Le procédé, dans lequel la durée de vie du module de puissance à semi-conducteurs peut être définie avec fiabilité, consiste à comparer une température mesurée du module de puissance à semi-conducteurs à la température, définie au moyen du modèle de température, du module de puissance à semi-conducteurs et à déduire, à partir de la comparaison des deux températures, un statut de la durée de vie du module de puissance à semi-conducteurs.
Également publié en tant que
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