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1. WO2020000378 - STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION

Numéro de publication WO/2020/000378
Date de publication 02.01.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/093692
Date du dépôt international 29.06.2018
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02326
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02321introduction of substances into an already existing insulating layer
02323introduction of oxygen
02326into a nitride layer, e.g. changing SiN to SiON
H01L 21/02359
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02359treatment to change the surface groups of the insulating layer
H01L 21/76251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
H01L 2224/03452
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
03444in gaseous form
03452Chemical vapour deposition [CVD], e.g. laser CVD
H01L 2224/05023
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
0502Disposition
05023the whole internal layer protruding from the surface
Déposants
  • 长江存储科技有限责任公司 YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 陈俊 CHEN, Jun
  • 华子群 HUA, Ziqun
  • 胡思平 HU, Siping
  • 王家文 WANG, Jiawen
  • 王涛 WANG, Tao
  • 朱继锋 ZHU, Jifeng
  • 丁滔滔 DING, Taotao
  • 王新胜 WANG, Xinsheng
  • 朱宏斌 ZHU, Hongbin
  • 程卫华 CHENG, Weihua
  • 杨士宁 YANG, Shining
Mandataires
  • 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI WINSUN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SAME
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(ZH) 半导体结构及其形成方法
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a semiconductor structure and a method for forming same. The semiconductor structure comprises: a first substrate; and a first adhesive/bonded stack on a surface of the first substrate, wherein the first adhesive/bonded stack comprises at least one first adhesive layer and at least one first bonded layer; the first adhesive layer and the first bonded layer are respectively made of different materials; and the material of the first bonded layer is a dielectric material comprising Si, N and C, and the material of the first adhesive layer is a dielectric material comprising Si and N. The first adhesive/bonded stack of the semiconductor structure can have a great bonding force during bonding.
(FR)
La présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation. La structure semi-conductrice comprend : un premier substrat ; et un premier empilement adhésif/collé sur une surface du premier substrat, le premier empilement adhésive/collé comprenant au moins une première couche adhésive et au moins une première couche collée ; la première couche adhésive et la première couche collée étant respectivement constituées de matériaux différents ; et le matériau de la première couche collée est un matériau diélectrique comprenant du Si, N et C, et le matériau de la première couche adhésive est un matériau diélectrique comprenant du Si et N. Le premier empilement adhésif/collé de la structure semi-conductrice peut avoir une grande force de collage pendant le collage.
(ZH)
本发明涉及一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:第一基底;在所述第一基底表面上的第一粘附/键合叠层,所述第一粘附/键合叠层包括至少一层第一粘附层和至少一层第一键合层,所述第一粘附层和第一键合层分别采用不同的材料,所述第一键合层的材料为包括Si、N和C的介质材料,所述第一粘附层的材料为包括Si和N的介质材料。所述半导体结构的第一粘附/键合叠层在键合时能够具有较高的键合力。
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