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1. WO2019235690 - PROCÉDÉ DE MESURE DE PLASMA ET CAPTEUR DE MESURE DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2019/235690
Date de publication 12.12.2019
N° de la demande internationale PCT/KR2018/010307
Date du dépôt international 04.09.2018
CIB
H01J 37/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H05H 1/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
CPC
H01J 37/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
Déposants
  • 엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 하창승 HA, Changseung
  • 임대철 LIM, Daecheol
  • 장윤민 CHANG, Yoonmin
  • 최익진 CHOI, Ikjin
  • 한희성 HAN, Huiseong
  • 홍윤기 HONG, Yoonki
Mandataires
  • 특허법인(유한)케이비케이 KBK & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
10-2018-006492605.06.2018KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA MEASUREMENT METHOD AND PLASMA PROCESS MEASUREMENT SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE PLASMA ET CAPTEUR DE MESURE DE TRAITEMENT AU PLASMA
(KO) 플라즈마 측정 방법 및 플라즈마 공정 측정 센서
Abrégé
(EN) Disclosed are a plasma measurement method and a plasma process measurement sensor. The plasma measurement method according to an embodiment of the present invention comprises: pairing a first probe and a second probe; generating a signal by the first probe; generating a signal by the second probe; receiving, by the first probe, signals generated by the first probe and the second probe; and analyzing the received signals to measure characteristics of plasma, wherein the signal generated by the first probe and the signal generated by the second probe are different. By comparing and analyzing the two signals, an accurate measurement value can be obtained without increasing a signal power so that low power operation is possible.
(FR) L'invention concerne un procédé de mesure de plasma et un capteur de mesure de traitement au plasma. Le procédé de mesure de plasma selon un mode de réalisation de la présente invention consiste à : apparier une première sonde et une seconde sonde; générer un signal par la première sonde; générer un signal par la seconde sonde; recevoir, par la première sonde, des signaux générés par la première sonde et la seconde sonde; et analyser les signaux reçus pour mesurer des caractéristiques de plasma, le signal généré par la première sonde et le signal généré par la seconde sonde étant différents. Par comparaison et analyse des deux signaux, une valeur de mesure précise peut être obtenue sans augmenter une puissance de signal de sorte qu'une opération à faible puissance soit possible.
(KO) 플라즈마 측정 방법 및 플라즈마 공정 측정 센서가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 측정 방법은, 제 1 프로브와 제 2 프로브를 페어링하고, 제 1 프로브가 신호를 발생시키고, 제 2 프로브가 신호를 발생시키고, 제 1 프로브가 제 1 프로브 및 제 2 프로브에서 발생시킨 신호들을 수신하고, 이들을 분석하여 플라즈마의 특성을 측정하며, 제 1 프로브가 발생시킨 신호와 제 2 프로브가 발생시킨 신호는 상이한 것을 특징으로 한다. 두 신호를 비교 분석함으로써, 신호의 전력을 높이지 않고서도 정확한 측정값을 얻을 수 있으므로 저전력으로 구동이 가능하다.
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