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1. WO2019230184 - APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR LE TRAITEMENT DE MATIÈRE PREMIÈRE AVEC PLASMA À ONDES DE SURFACE À MICRO-ONDES ET OBTENTION D'UN PRODUIT DIFFÉRENT DE LA MATIÈRE PREMIÈRE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2019/230184
Date de publication 05.12.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/014594
Date du dépôt international 02.04.2019
CIB
B01J 19/08 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
JPROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE OU CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
19Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en général; Appareils appropriés
08Procédés utilisant l'application directe de l'énergie ondulatoire ou électrique, ou un rayonnement particulaire; Appareils à cet usage
C01B 6/04 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
6Hydrures de métaux; Monoborane ou diborane; Leurs complexes d'addition
04Hydrures des métaux alcalins, des métaux alcalino-terreux, du béryllium ou du magnésium; Leurs complexes d'addition
H05H 1/46 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
CPC
B01J 19/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
C01B 6/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
6Hydrides of metals ; including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds
04Hydrides of alkali metals, alkaline earth metals, beryllium or magnesium; Addition complexes thereof
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • 株式会社エスイー SE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 滝沢　力 TAKIZAWA Tsutomu
  • 森元　峯夫 MORIMOTO Mineo
  • 坂本　雄一 SAKAMOTO Yuichi
Mandataires
  • 坂本　智弘 SAKAMOTO Tomohiro
Données relatives à la priorité
2018-10274029.05.2018JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR TREATING RAW MATERIAL WITH MICROWAVE SURFACE WAVE PLASMA AND OBTAINING PRODUCT DIFFERENT FROM RAW MATERIAL
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR LE TRAITEMENT DE MATIÈRE PREMIÈRE AVEC PLASMA À ONDES DE SURFACE À MICRO-ONDES ET OBTENTION D'UN PRODUIT DIFFÉRENT DE LA MATIÈRE PREMIÈRE
(JA) 原料をマイクロ波表面波プラズマで処理して原料と異なる生成物を得る製造装置及び製造方法
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Abrégé
(EN) In order to provide a manufacturing apparatus with which it is possible to suppress any increase in average electrical power used by a microwave generation means and to generate high-density microwave surface wave plasma, this manufacturing apparatus is provided with: a microwave generation means 20 that generates microwaves for supply within a reaction chamber 2; a dielectric material window W provided to a portion where microwaves enter the reaction chamber 2, the dielectric material window W enabling the generation of microwave surface wave plasma at the surface thereof; supply amount control means (MFC1, MFC2) that control the supply amount of air to become the microwave surface wave plasma supplied into the reaction chamber 2; a raw material supply means 50 that vaporizes a raw material and supplies the raw material into the microwave surface wave plasma; a bonding means 80 in which a surface 81 for bonding a product is installed within a range in which the microwave surface wave plasma is present; and a temperature control means that maintains the surface temperature of the surface 81 of the bonding means 80 for bonding the product within a prescribed temperature range suitable for deposition of the product. The microwave generation means generates pulsed microwaves.
(FR) Afin de fournir un appareil de fabrication avec lequel il est possible de supprimer toute augmentation de la puissance électrique moyenne utilisée par un organe générateur de micro-ondes et de générer un plasma à ondes de surface à micro-ondes de haute densité, cet appareil de fabrication est pourvu : d'un organe générateur de micro-ondes 20 qui génère des micro-ondes pour alimenter l'intérieur d'une chambre de réaction 2; d'une fenêtre en matériau diélectrique W disposée sur une partie de la chambre de réaction 2 dans laquelle les micro-ondes pénètrent, la fenêtre en matériau diélectrique W permettant la génération de plasma d'onde de surface à micro-onde à sa surface; des moyens de régulation de quantité d'alimentation (MFC1, MFC2) qui régulent la quantité d'alimentation en air qui se transforme en plasma d'onde de surface à micro-ondes acheminé dans la chambre de réaction 2; un moyen d'alimentation en matière première 50 qui vaporise une matière première et l'achemine dans le plasma à ondes de surface à micro-ondes; un moyen de liaison 80 dans lequel on installe une surface 81 pour lier un produit à l'intérieur d'une plage où le plasma à micro-ondes à ondes de surface est présent; et un moyen de régulation de température qui maintient la température de la surface 81 du moyen de liaison 80 servant à lier le produit dans une plage de température prescrite appropriée pour le dépôt du produit. L'unité de génération de micro-ondes génère des micro-ondes pulsées.
(JA) マイクロ波発生手段で使用される平均電力の上昇を抑制し、高密度なマイクロ波表面波プラズマを生成できる製造装置を提供するために、本発明の製造装置は、反応室２内に供給されるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段２０と、反応室２内にマイクロ波を入射させる部分に設けられ、表面でマイクロ波表面波プラズマを生成させる誘電体材料の窓Ｗと、反応室２内に供給するマイクロ波表面波プラズマ化する気体の供給量を制御する供給量制御手段（ＭＦＣ１、ＭＦＣ２）と、原料を気化させてマイクロ波表面波プラズマ中に原料を供給する原料供給手段５０と、生成物を付着させる表面８１をマイクロ波表面波プラズマの存在する範囲内に配置した付着手段８０と、付着手段８０の生成物を付着させる表面８１の表面温度を生成物の析出に適した所定の温度範囲内に保つ温度制御手段と、を備え、マイクロ波発生手段がパルス的なマイクロ波を発生させる。
Documents de brevet associés
JPWO2019230184
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