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1. WO2019210291 - MODIFICATION DE LA SURFACE D'UNE LED AU MOYEN D'UN LASER ULTRAVIOLET

Numéro de publication WO/2019/210291
Date de publication 31.10.2019
N° de la demande internationale PCT/US2019/029590
Date du dépôt international 29.04.2019
CIB
H01L 21/268 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/20 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/22 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
CPC
B23K 26/3584
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
352for surface treatment
3568Modifying rugosity
3584Increasing rugosity, e.g. roughening
H01L 21/268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
268using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
H01L 2933/0025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0025relating to coatings
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0075comprising nitride compounds
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Déposants
  • FACEBOOK TECHNOLOGIES, LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • POURCHET, Allan
  • BRENNAN, Vincent
Mandataires
  • THOMAS, Daniel, A.
  • MOON, William, Allen
Données relatives à la priorité
16/395,08525.04.2019US
62/663,70627.04.2018US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LED SURFACE MODIFICATION WITH ULTRAVIOLET LASER
(FR) MODIFICATION DE LA SURFACE D'UNE LED AU MOYEN D'UN LASER ULTRAVIOLET
Abrégé
(EN) A laser light is used to modify the surface of the gallium semiconductor layer of an LED. The parameters of the laser are selected so that the laser interacts with the gallium semiconductor layer in a desired manner to yield the desired surface properties. For example, if a particular surface roughness is desired, the power of the laser light is selected so that the laser light penetrates the gallium semiconductor layer to a depth matching the desired surface roughness. The same principles can also be applied in a process that creates features such as trenches, pits, lenses, and mirrors on the gallium semiconductor layer of an LED. The laser projector is operated to irradiate a region of the gallium semiconductor layer to create a region of metallic gallium. The desired surface roughness and the different features can advantageously improve the beam collimation, light extraction, and other properties of the LED.
(FR) Selon l'invention, une lumière laser est utilisée pour modifier la surface de la couche semi-conductrice de gallium d'une LED. Les paramètres du laser sont sélectionnés de telle sorte que le laser interagit avec la couche semi-conductrice de gallium de la manière souhaitée pour obtenir les propriétés de surface souhaitées. Par exemple, si une rugosité de surface particulière est souhaitée, la puissance de la lumière laser est sélectionnée de telle sorte que la lumière laser pénètre dans la couche semi-conductrice de gallium jusqu'à une profondeur correspondant à la rugosité de surface souhaitée. Les mêmes principes peuvent également être appliqués dans un procédé servant à créer des caractéristiques telles que des tranchées, des creux, des lentilles et des miroirs sur la couche semi-conductrice de gallium d'une LED. Le projecteur laser est utilisé pour irradier une région de la couche semi-conductrice de gallium pour créer une région de gallium métallique. La rugosité de surface souhaitée et les différentes caractéristiques peuvent avantageusement améliorer la collimation de faisceaux, l'extraction de lumière et d'autres propriétés de la LED.
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