(EN) An optical semiconductor element which is provided with: a semiconductor substrate; a first cladding layer of a first conductivity type, which is provided on the semiconductor substrate; an active layer which is provided on the first cladding layer; a second cladding layer of a second conductivity type, which is provided on the active layer; a first mesa which is composed of a part of the first cladding layer, the active layer and the second cladding layer; an auxiliary cladding layer of the second conductivity type, which is provided on the first mesa; a second mesa which is composed of the auxiliary cladding layer; and semi-insulating layers which are provided on both sides of the first mesa and the second mesa on the first cladding layer. This optical semiconductor element is configured such that the width of the second mesa is wider than the width of the first mesa.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur optique qui comporte : un substrat semi-conducteur ; une première couche de gainage d'un premier type de conductivité, qui est disposée sur le substrat semi-conducteur ; une couche active qui est disposée sur la première couche de gainage ; une seconde couche de gainage d'un second type de conductivité, qui est disposée sur la couche active ; un premier mesa qui est composé d'une partie de la première couche de gainage, la couche active et la seconde couche de gainage ; une couche de gainage auxiliaire du second type de conductivité, qui est disposée sur le premier mesa ; un second mesa qui est composé de la couche de gainage auxiliaire ; et des couches semi-isolantes qui sont disposées sur les deux côtés du premier mesa et du second mesa sur la première couche de gainage. Cet élément semi-conducteur optique est conçu de telle sorte que la largeur du second mesa est plus importante que la largeur du premier mesa.
(JA) 半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた第1導電型の第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第2導電型の第2クラッド層と、前記第1クラッド層の一部、前記活性層および前記第2クラッド層から構成される第1メサと、前記第1メサの上に設けられた前記第2導電型の補助クラッド層と、前記補助クラッド層から構成される第2メサと、前記第1クラッド層の上であって、前記第1メサおよび前記第2メサの両側に設けられた前記半絶縁層と、を具備し、前記第2メサの幅は、前記第1メサの幅より大きい光半導体素子。