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1. WO2019208697 - ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2019/208697
Date de publication 31.10.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/017644
Date du dépôt international 25.04.2019
CIB
H01S 5/227 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22ayant une structure à nervures ou à bandes
227Structure mesa enterrée
H01S 5/026 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
CPC
H01S 2304/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2304Special growth methods for semiconductor lasers
04MOCVD or MOVPE
H01S 5/0014
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
0014Measuring characteristics or properties thereof
H01S 5/0265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0265Intensity modulators
H01S 5/06226
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
062by varying the potential of the electrodes
06226Modulation at ultra-high frequencies
H01S 5/1014
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1003Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
1014Tapered waveguide, e.g. spotsize converter
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Déposants
  • 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 渡邊孝幸 WATANABE, Takayuki
Mandataires
  • 片山修平 KATAYAMA, Shuhei
Données relatives à la priorité
2018-08742227.04.2018JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND INTEGRATED OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE INTÉGRÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 光半導体素子およびその製造方法ならびに光集積半導体素子およびその製造方法
Abrégé
(EN) An optical semiconductor element which is provided with: a semiconductor substrate; a first cladding layer of a first conductivity type, which is provided on the semiconductor substrate; an active layer which is provided on the first cladding layer; a second cladding layer of a second conductivity type, which is provided on the active layer; a first mesa which is composed of a part of the first cladding layer, the active layer and the second cladding layer; an auxiliary cladding layer of the second conductivity type, which is provided on the first mesa; a second mesa which is composed of the auxiliary cladding layer; and semi-insulating layers which are provided on both sides of the first mesa and the second mesa on the first cladding layer. This optical semiconductor element is configured such that the width of the second mesa is wider than the width of the first mesa.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur optique qui comporte : un substrat semi-conducteur ; une première couche de gainage d'un premier type de conductivité, qui est disposée sur le substrat semi-conducteur ; une couche active qui est disposée sur la première couche de gainage ; une seconde couche de gainage d'un second type de conductivité, qui est disposée sur la couche active ; un premier mesa qui est composé d'une partie de la première couche de gainage, la couche active et la seconde couche de gainage ; une couche de gainage auxiliaire du second type de conductivité, qui est disposée sur le premier mesa ; un second mesa qui est composé de la couche de gainage auxiliaire ; et des couches semi-isolantes qui sont disposées sur les deux côtés du premier mesa et du second mesa sur la première couche de gainage. Cet élément semi-conducteur optique est conçu de telle sorte que la largeur du second mesa est plus importante que la largeur du premier mesa.
(JA) 半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた第1導電型の第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第2導電型の第2クラッド層と、前記第1クラッド層の一部、前記活性層および前記第2クラッド層から構成される第1メサと、前記第1メサの上に設けられた前記第2導電型の補助クラッド層と、前記補助クラッド層から構成される第2メサと、前記第1クラッド層の上であって、前記第1メサおよび前記第2メサの両側に設けられた前記半絶縁層と、を具備し、前記第2メサの幅は、前記第1メサの幅より大きい光半導体素子。
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