(EN) The present invention is provided with: a low resistance material layer (102) formed on a substrate (101); a metal layer (103) formed on the low resistance material layer (102); a bipolar transistor (104) formed on the substrate (101); and a resistance element (105) formed on the substrate (101). In the bipolar transistor (104), the metal layer (103) in a first region (151) serves as a sub-collector layer (107) and a collector layer (108) is formed on the sub-collector layer (107). The resistance element (105) is configured from the resistance material layer (102) in a second region (152).
(FR) La présente invention comprend : une couche de matériau à faible résistance (102) formée sur un substrat (101) ; une couche métallique (103) formée sur la couche de matériau à faible résistance (102) ; un transistor bipolaire (104) formé sur le substrat (101) ; et un élément de résistance (105) formé sur le substrat (101). Dans le transistor bipolaire (104), la couche métallique (103) dans une première région (151) sert de couche de sous-collecteur (107) et une couche de collecteur (108) est formée sur la couche de sous-collecteur (107). L'élément de résistance (105) est conçu à partir de la couche de matériau de résistance (102) dans une seconde région (152).
(JA) 基板(101)の上に形成された抵抗材料層(102)と、抵抗材料層(102)の上に形成された金属層(103)と、基板(101)の上に形成されたバイポーラトランジスタ(104)と、基板(101)の上に形成された抵抗素子(105)とを備える。バイポーラトランジスタ(104)は、第1領域(151)における金属層(103)をサブコレクタ層(107)とし、また、サブコレクタ層(107)の上に形成されたコレクタ層(108)を備える。抵抗素子(105)は、第2領域(152)における抵抗材料層(102)から構成されている。