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1. WO2019203322 - ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE PROFONDE

Numéro de publication WO/2019/203322
Date de publication 24.10.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/016694
Date du dépôt international 18.04.2019
CIB
H01L 33/08 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
08ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
08with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 柴田 智彦 SHIBATA Tomohiko
  • 宮地 岳広 MIYAJI Takehiro
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
Données relatives à la priorité
2018-08170320.04.2018JP
2019-07846417.04.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEEP ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE PROFONDE
(JA) 深紫外発光素子
Abrégé
(EN)
Provided is a deep ultraviolet light-emitting element that takes into account the color rendering properties of a body being irradiated. The deep ultraviolet light-emitting element of the present invention comprises an n-type semiconductor layer made of a Group III nitride semiconductor, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer successively. The deep ultraviolet light-emitting element has a light emission spectrum having a primary light emission peak wavelength in a wavelength range of 200 nm or more and 350 nm or less. When the light emission intensity of the primary light emission peak wavelength is 100%, with respect to the light emission intensity of secondary light emission as a relative light emission intensity, the light emission spectrum further has a blue-violet secondary light emission component having a relative light emission intensity of 0.03 to 10% in the entire range of a wavelength range of 430 to 450 nm, and a yellow-green secondary light emission component having a relative light emission intensity of 0.03 to 10% in the entire range of a wavelength range of 540 to 580 nm. The ratio of light emission intensity at a wavelength of 435 nm to light emission intensity at a wavelength of 560 nm is 0.5 to 2.
(FR)
L'invention concerne un élément émetteur de lumière ultraviolette profonde qui prend en compte les propriétés de rendu de couleur d'un corps irradié. L'élément émetteur de lumière ultraviolette profonde de la présente invention comprend une couche semi-conductrice de type N constituée d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III, d'une couche électroluminescente et d'une couche semi-conductrice de type p successivement. L'élément émetteur de lumière ultraviolette profonde a un spectre d'émission de lumière ayant une longueur d'onde de pic d'émission de lumière primaire dans une plage de longueur d'onde de 200 nm ou plus et 350 nm ou moins. Lorsque l'intensité d'émission de lumière de la longueur d'onde de pic d'émission de lumière primaire est de 100 %, par rapport à l'intensité d'émission de lumière de l'émission de lumière secondaire en tant qu'intensité d'émission de lumière relative, le spectre d'émission de lumière comprend en outre une composante d'émission de lumière secondaire bleue-violette ayant une intensité d'émission de lumière relative de 0,03 à 10 % dans la plage entière d'une plage de longueur d'onde de 430 à 450 nm, et un composant d'émission de lumière secondaire jaune-vert ayant une intensité d'émission de lumière relative de 0,03 à 10 % dans la plage entière d'une plage de longueur d'onde de 540 à 580 nm. Le rapport d'une intensité d'émission de lumière à une longueur d'onde de 435 nm à une intensité d'émission de lumière à une longueur d'onde de 560 nm est compris entre 0.5 et 2.
(JA)
被照射体の演色性にも配慮した深紫外発光素子を提供する。本発明による深紫外発光素子は、III族窒化物半導体からなるn型半導体層、発光層およびp型半導体層を順次有し、前記深紫外発光素子の発光スペクトルは、200nm以上350nm以下の波長域に1次発光ピーク波長を有し、前記1次発光ピーク波長の発光強度を100%とした場合における2次発光の発光強度を相対発光強度として、前記発光スペクトルは、波長域430~450nmの全域において0.03~10%の相対発光強度を有する青紫色の2次発光成分と、波長域540~580nmの全域において0.03~10%の相対発光強度を有する黄緑色の2次発光成分とをさらに有し、波長560nmにおける発光強度に対する、波長435nmにおける発光強度の比が、0.5~2である。
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