(EN) A BAW resonator (BAWR) with improved power durability and improved heat resistance is provided. The resonator comprises a layer stack with a piezoelectric material (PM) between a bottom electrode (ELI) and a top electrode (EL2) and a shunt path parallel (PCPP) to the layer stack provided to enable an RF signal to bypass the layer stack, e.g. to ground (GND). The shunt path (PCPP) has a temperature dependent conductance with a negative temperature coefficient, NTC, of resistance. When the temperature of the device rises due to high power operation, currents that would otherwise permanently damage the device are shunted to ground or another dedicated terminal by the temperature dependent shunt path. Upon cooling down normal operation is resumed.
(FR) L'invention concerne un résonateur BAW (BAWR) ayant une durabilité de puissance améliorée et une résistance à la chaleur améliorée. Le résonateur comprend un empilement de couches, un matériau piézoélectrique (PM) étant disposé entre une électrode inférieure (EL1) et une électrode supérieure (EL2), et un trajet de dérivation (PCPP) parallèle à l'empilement de couches prévu pour permettre à un signal RF de contourner l'empilement de couches, par exemple vers la masse (GND). Le trajet de dérivation (PCPP) a une conductance dépendant de la température avec un coefficient de température négatif, NTC, de résistance. Lorsque la température du dispositif augmente en raison d'un fonctionnement à haute puissance, des courants qui pourraient autrement endommager de façon permanente le dispositif sont mis en dérivation vers la masse ou vers une autre borne dédiée par le trajet de dérivation dépendant de la température. Lors du refroidissement, un fonctionnement normal est repris.