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1. WO2019197081 - RÉSONATEUR BAW AYANT UNE DURABILITÉ DE PUISSANCE AMÉLIORÉE ET UNE RÉSISTANCE À LA CHALEUR AMÉLIORÉE ET FILTRE RF COMPRENANT UN RÉSONATEUR BAW

Numéro de publication WO/2019/197081
Date de publication 17.10.2019
N° de la demande internationale PCT/EP2019/055439
Date du dépôt international 05.03.2019
CIB
H03H 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
H03H 9/17 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17ayant un résonateur unique
H03H 9/54 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46Filtres
54comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
CPC
H03H 9/02102
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02102of temperature influence
H03H 9/02149
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02149of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
H03H 9/175
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
171implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
175Acoustic mirrors
H03H 9/542
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
54comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
542including passive elements
Déposants
  • RF360 EUROPE GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • SCHIEK, Maximilian
  • ROSEZIN, Roland
  • AIGNER, Willi
  • MITTERMAIER, Thomas
  • SCHMIDHAMMER, Edgar
  • CHAMALY, Stéphane
  • PEROIS, Xavier
  • HUCK, Christian
  • SHIRAKAWA, Alexandre Augusto
Mandataires
  • BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB
Données relatives à la priorité
10 2018 108 608.311.04.2018DE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BAW RESONATOR WITH IMPROVED POWER DURABILITY AND HEAT RESISTANCE AND RF FILTER COMPRISING A BAW RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR BAW AYANT UNE DURABILITÉ DE PUISSANCE AMÉLIORÉE ET UNE RÉSISTANCE À LA CHALEUR AMÉLIORÉE ET FILTRE RF COMPRENANT UN RÉSONATEUR BAW
Abrégé
(EN)
A BAW resonator (BAWR) with improved power durability and improved heat resistance is provided. The resonator comprises a layer stack with a piezoelectric material (PM) between a bottom electrode (ELI) and a top electrode (EL2) and a shunt path parallel (PCPP) to the layer stack provided to enable an RF signal to bypass the layer stack, e.g. to ground (GND). The shunt path (PCPP) has a temperature dependent conductance with a negative temperature coefficient, NTC, of resistance. When the temperature of the device rises due to high power operation, currents that would otherwise permanently damage the device are shunted to ground or another dedicated terminal by the temperature dependent shunt path. Upon cooling down normal operation is resumed.
(FR)
L'invention concerne un résonateur BAW (BAWR) ayant une durabilité de puissance améliorée et une résistance à la chaleur améliorée. Le résonateur comprend un empilement de couches, un matériau piézoélectrique (PM) étant disposé entre une électrode inférieure (EL1) et une électrode supérieure (EL2), et un trajet de dérivation (PCPP) parallèle à l'empilement de couches prévu pour permettre à un signal RF de contourner l'empilement de couches, par exemple vers la masse (GND). Le trajet de dérivation (PCPP) a une conductance dépendant de la température avec un coefficient de température négatif, NTC, de résistance. Lorsque la température du dispositif augmente en raison d'un fonctionnement à haute puissance, des courants qui pourraient autrement endommager de façon permanente le dispositif sont mis en dérivation vers la masse ou vers une autre borne dédiée par le trajet de dérivation dépendant de la température. Lors du refroidissement, un fonctionnement normal est repris.
Également publié en tant que
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