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1. WO2019189360 - DISPOSITIF À PARTICULES CHARGÉES, SYSTÈME DE MESURE ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION D'UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES

Numéro de publication WO/2019/189360
Date de publication 03.10.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2019/013191
Date du dépôt international 27.03.2019
CIB
H01J 37/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
28avec faisceaux de balayage
H01J 37/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
16Enceintes; Récipients
H01J 37/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
18Fermetures étanches
H01J 37/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
20Moyens de support ou de mise en position de l'objet ou du matériau; Moyens de réglage de diaphragmes ou de lentilles associées au support
H01L 21/683 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
H01J 37/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
16Vessels; Containers
H01J 37/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
18Vacuum locks ; ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
H01J 37/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
H01J 37/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
28with scanning beams
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 舩津 貴行 FUNATSU, Takayuki
Mandataires
  • 江上 達夫 EGAMI, Tatsuo
Données relatives à la priorité
2018-07022030.03.2018JP
2019-05279420.03.2019JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHARGED PARTICLE DEVICE, MEASUREMENT SYSTEM, AND METHOD FOR IRRADIATING CHARGED PARTICLE BEAM
(FR) DISPOSITIF À PARTICULES CHARGÉES, SYSTÈME DE MESURE ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION D'UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子装置、計測システム、及び、荷電粒子ビームの照射方法
Abrégé
(EN) A charged particle device comprises: a vacuum formation member having a tubular path that can be connected to an exhaust device, a gas in a first space contacting the surface of an object being discharged via the tubular path, and the vacuum formation member forming a vacuum area; an irradiation device that irradiates a charged particle beam toward a sample via the vacuum area; a relative-position change device that changes the relative positions of the sample and the vacuum formation member, and changes the relative positions of the sample and the vacuum area; a partition wall member that divides a second space into a plurality of sections, the second space facing the other surface of the sample positioned on the opposite side from the surface of the sample irradiated by the charged particle beam; and an atmospheric pressure adjustment device that can control the atmospheric pressure of each of the plurality of sections. At least some of the gas in a space of the vacuum area that has an atmospheric pressure higher than the surrounding vacuum area is discharged via the tubular path of the vacuum formation member, and the passage of the charged particle beam irradiated from the irradiation device includes at least a part of the vacuum area.
(FR) Un dispositif à particules chargées comprend : un élément de formation de vide ayant un trajet tubulaire qui peut être relié à un dispositif d'échappement, un gaz dans un premier espace en contact avec la surface d'un objet étant évacué par l'intermédiaire du trajet tubulaire, et l'élément de formation de vide formant une zone sous vide ; un dispositif d'irradiation qui irradie un faisceau de particules chargées vers un échantillon par l'intermédiaire de la zone sous vide ; un dispositif de changement de position relative qui modifie les positions relatives de l'échantillon et de l'élément de formation de vide, et modifie les positions relatives de l'échantillon et de la zone sous vide ; un élément de cloison qui divise un second espace en une pluralité de sections, le second espace faisant face à l'autre surface de l'échantillon positionné sur le côté opposé à la surface de l'échantillon irradié par le faisceau de particules chargées ; et un dispositif de réglage de pression atmosphérique qui peut commander la pression atmosphérique de chaque section de la pluralité de sections. Au moins une partie du gaz dans un espace de la zone sous vide qui a une pression atmosphérique supérieure à celle de la zone sous vide environnante est évacuée par l'intermédiaire du trajet tubulaire de l'élément de formation de vide, et le passage du faisceau de particules chargées irradié par le dispositif d'irradiation comprend au moins une partie de la zone sous vide.
(JA) 荷電粒子装置は、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する第1空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、真空領域を介して試料に向けて荷電粒子ビームを照射する照射装置と、試料と真空形成部材との相対位置を変更して、試料と真空領域との相対位置を変更する相対位置変更装置と、試料の荷電粒子ビームが照射される面とは反対側に位置する試料の他方の面に面する第2空間を複数の区画に分割する隔壁部材と、複数の区画のそれぞれの気圧を制御可能な気圧調整装置とを備え、真空領域の周囲の真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、真空形成部材の管路を介して排出され、照射装置から照射される荷電粒子ビームの通路は真空領域の少なくとも一部を含む。
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