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1. WO2019186644 - MODULE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2019/186644
Date de publication 03.10.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2018/012123
Date du dépôt international 26.03.2018
CIB
H01L 27/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H01L 21/3205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
Déposants
  • ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 松本 康寛 MATSUMOTO Yasuhiro
  • 熊内 隆宏 KUMAUCHI Takahiro
Mandataires
  • 正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki
  • 林 一好 HAYASHI Kazuyoshi
  • 崎間 伸洋 SAKIMA Nobuhiro
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
(JA) 半導体モジュール、半導体装置、及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are a semiconductor module and a semiconductor device that can be easily manufactured, and manufacturing methods therefor. A semiconductor module 1 is provided with: a wiring layer 2 that includes conductor layers 21; and a substrate body 3 on one surface of which the wiring layer 2 is formed and which is provided with protrusion electrodes 34 each penetrating in the thickness direction so as to protrude to the other surface side. The protrusion electrodes 34 are disposed so as to be capable of being in electrical conduction with the respective conductor layers 21. In addition, the substrate body 3 is preferably a silicon substrate, and the protrusion electrodes 34 are each preferably a P-type semiconductor region.
(FR)
L'invention concerne un module semi-conducteur et un dispositif à semi-conducteur qui peuvent être fabriqués facilement, et leurs procédés de fabrication. Un module semi-conducteur 1 comprend : une couche de câblage 2 qui comprend des couches conductrices 21 ; et un corps de substrat 3 sur une surface duquel est formée la couche de câblage 2 et qui comprend des électrodes en saillie 34 pénétrant chacune dans la direction de l'épaisseur de façon à faire saillie vers l'autre côté de surface. Les électrodes en saillie 34 sont disposées de manière à pouvoir être en conduction électrique avec les couches conductrices 21 respectives. De plus, le corps de substrat 3 est de préférence un substrat en silicium, et les électrodes en saillie 34 sont chacune de préférence une région semi-conductrice de type P.
(JA)
容易に製造可能な半導体モジュール、半導体装置、及びその製造方法を提供すること。 半導体モジュール1は、導体層21を含む配線層2と、一方の面上に配線層2が形成される基板本体3であって、厚さ方向に貫通して他方の面側に突出する突出電極34を備える基板本体3と、を備え、突出電極34は、導体層21に導通可能に配置される。また、基板本体3は、シリコン基板であり、突出電極34は、P型半導体領域であることが好ましい。
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