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1. WO2019138613 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2019/138613
Date de publication 18.07.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2018/036419
Date du dépôt international 28.09.2018
CIB
H01L 31/0747 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
CPC
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 三島 良太 MISHIMA Ryota
  • 足立 大輔 ADACHI Daisuke
Mandataires
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
Données relatives à la priorité
2018-00132009.01.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention is for efficiently manufacturing a back-contact solar cell. A manufacturing method for a solar cell 10 that includes a crystal substrate 11 includes first through fifth steps. In the second step, a first lift-off layer LF1 and a second lift-off layer LF2 are formed on a p-type semiconductor layer 13p so as to be layered in that order. In the fourth step, an n-type semiconductor layer 13n is formed layered onto the second lift-off layer LF2 remaining after the third step and onto a non-formation region where no p-type semiconductor layer 13p has been formed. In the fifth step, a first etching solution is used to remove the first lift-off layer LF1 and the second lift-off layer LF2 so that the n-type semiconductor layer 13n layered onto the second lift-off layer LF2 is also removed. The etching speeds of the p-type semiconductor layer 13p, the first lift-off layer LF1, and the second lift-off layer LF2 by the first etching solution fulfil a specific relational expression.
(FR)
La présente invention est destinée à la fabrication efficace d'une cellule solaire à contact arrière. Un procédé de fabrication d'une cellule solaire 10 qui comprend un substrat de cristal 11 comprend des première à cinquième étapes. Dans la seconde étape, une première couche de décollement LF1 et une seconde couche de décollement LF2 sont formées sur une couche semi-conductrice de type p 13p de manière à être stratifiées dans cet ordre. Dans la quatrième étape, une couche semi-conductrice de type n 13n est formée, stratifiée sur la seconde couche de décollement LF2 restant après la troisième étape et sur une région de non-formation où aucune couche semi-conductrice de type p 13p n'a été formée. Dans la cinquième étape, une première solution de gravure est utilisée pour retirer la première couche de décollement LF1 et la seconde couche de décollement LF2 de telle sorte que la couche semi-conductrice de type n 13n stratifiée sur la seconde couche de décollement LF2 est également retirée. Les vitesses de gravure de la couche semi-conductrice de type p 13p, de la première couche de décollement LF1 et de la seconde couche de décollement LF2 par la première solution de gravure satisfont une expression relationnelle spécifique.
(JA)
バックコンタクト型太陽電池を、効率よく、製造する。結晶基板11を含む太陽電池10の製造方法では、第1工程~第5工程を含み、第2工程で、p型半導体層に13p対して、第1リフトオフ層LF1および第2リフトオフ層LF2を、この順で積み重ねて形成し、第4工程で、第3工程で残った第2リフトオフ層LF2、および、p型半導体層13pの無い非形成領域に対して、n型半導体層13nを、積み重ねて形成し、第5工程で、第1エッチング溶液を用いて、第1リフトオフ層LF1および第2リフトオフ層LF2を除去して、第2リフトオフ層LF2に積み重なるn型半導体層13nをも除去する。そして、第1エッチング溶液に対するp型半導体層13p、第1リフトオフ層LF1、および、第2リフトオフ層LF2のエッチング速度が、特定の関係式を満たす。
Également publié en tant que
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