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1. WO2019127701 - PANNEAU D'AFFICHAGE À MICRODIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2019/127701
Date de publication 04.07.2019
N° de la demande internationale PCT/CN2018/073037
Date du dépôt international 17.01.2018
CIB
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 25/0753
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0753the devices being arranged next to each other
H01L 25/167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
167comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H01L 27/1259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 27/3248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
3248Connection of the pixel electrode to the TFT
Déposants
  • 深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杨清斗 YANG, Qingdou
  • 王质武 WANG, Zhiwu
Mandataires
  • 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Données relatives à la priorité
201711432351.X26.12.2017CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MICRO LIGHT-EMITTING DIODE DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PANNEAU D'AFFICHAGE À MICRODIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 微型发光二极管显示面板及其制作方法
Abrégé
(EN)
A micro light-emitting diode display panel, comprising a thin-film transistor substrate (10), a bottom electrode (20) arranged on the top of the thin-film transistor substrate (10), a micro light-emitting diode chip (30) arranged on the bottom electrode (20), a top electrode (40) arranged on the top of the micro light-emitting diode chip (30), and a first passivation layer (50) covering the thin-film transistor substrate (10) and the micro light-emitting diode chip (30), wherein a plurality of bottom electrodes (20) are arranged in an array at intervals on the top of the thin-film transistor substrate (10), and the bottom end of the bottom electrode (20) extends to communicate with a source electrode or drain electrode (100) of the thin-film transistor substrate (10). A method for manufacturing a micro light-emitting diode display panel. The micro light-emitting diode chip (30), which is connected to the bottom electrode (20) and the top electrode (40), is directly manufactured on the thin-film transistor substrate (10), so that the thickness of the display panel is greatly reduced, and a narrow-frame display effect can also be achieved. Moreover, the micro light-emitting diode chip (30) is next to the entire first passivation layer (50), so that multiple manufacturing processes are not needed and the manufacturing process is simplified.
(FR)
L'invention concerne un panneau d'affichage à microdiodes électroluminescentes comprenant un substrat de transistor à couches minces (10), une électrode inférieure (20) disposée sur la partie supérieure du substrat de transistor à couches minces (10), une puce de microdiode électroluminescente (30) disposée sur l'électrode inférieure (20), une électrode supérieure (40) disposée sur la partie supérieure de la puce de microdiode électroluminescente (30), et une première couche de passivation (50) recouvrant le substrat de transistor à couches minces (10) et la puce de microdiode électroluminescente (30), une pluralité d'électrodes inférieures (20) étant organisées en un réseau selon certains intervalles sur la partie supérieure du substrat de transistor à couches minces (10), et l'extrémité inférieure de l'électrode inférieure (20) s'étendant pour communiquer avec une électrode source ou une électrode drain (100) du substrat de transistor à couches minces (10). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à microdiodes électroluminescentes. La puce de microdiode électroluminescente (30), qui est connectée à l'électrode inférieure (20) et à l'électrode supérieure (40), est directement fabriquée sur le substrat de transistor à couches minces (10), ce qui réduit considérablement l'épaisseur du panneau d'affichage, et permet également d'obtenir un effet d'affichage à cadre étroit. De plus, la puce de microdiode électroluminescente (30) est adjacente à la totalité de la première couche de passivation (50), ce qui rend inutiles les multiples processus de fabrication et simplifie le processus de fabrication.
(ZH)
一种微型发光二极管显示面板,包括薄膜晶体管基板(10)、设于薄膜晶体管基板(10)顶部的底部电极(20)、设于底部电极(20)上的微型发光二极管芯片(30)、设于微型发光二极管芯片(30)顶部的顶部电极(40)以及覆盖薄膜晶体管基板(10)和微型发光二极管芯片(30)的第一钝化层(50),多个底部电极(20)相互间隔地阵列设置在薄膜晶体管基板(10)顶部,底部电极(20)的底端延伸至与薄膜晶体管基板(10)的源极或漏极(100)导通。一种微型发光二极管显示面板的制作方法。通过直接在薄膜晶体管基板(10)上制作连接有底部电极(20)和顶部电极(40)的微型发光二极管芯片(30),使得显示面板的厚度大幅减薄,并能同时实现窄边框显示的效果。并且,微型发光二极管芯片(30)旁为整层的第一钝化层(50),无需多次制备工艺,简化了制作工序。
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