(EN) A micro light-emitting diode display panel, comprising a thin-film transistor substrate (10), a bottom electrode (20) arranged on the top of the thin-film transistor substrate (10), a micro light-emitting diode chip (30) arranged on the bottom electrode (20), a top electrode (40) arranged on the top of the micro light-emitting diode chip (30), and a first passivation layer (50) covering the thin-film transistor substrate (10) and the micro light-emitting diode chip (30), wherein a plurality of bottom electrodes (20) are arranged in an array at intervals on the top of the thin-film transistor substrate (10), and the bottom end of the bottom electrode (20) extends to communicate with a source electrode or drain electrode (100) of the thin-film transistor substrate (10). A method for manufacturing a micro light-emitting diode display panel. The micro light-emitting diode chip (30), which is connected to the bottom electrode (20) and the top electrode (40), is directly manufactured on the thin-film transistor substrate (10), so that the thickness of the display panel is greatly reduced, and a narrow-frame display effect can also be achieved. Moreover, the micro light-emitting diode chip (30) is next to the entire first passivation layer (50), so that multiple manufacturing processes are not needed and the manufacturing process is simplified.
(FR) L'invention concerne un panneau d'affichage à microdiodes électroluminescentes comprenant un substrat de transistor à couches minces (10), une électrode inférieure (20) disposée sur la partie supérieure du substrat de transistor à couches minces (10), une puce de microdiode électroluminescente (30) disposée sur l'électrode inférieure (20), une électrode supérieure (40) disposée sur la partie supérieure de la puce de microdiode électroluminescente (30), et une première couche de passivation (50) recouvrant le substrat de transistor à couches minces (10) et la puce de microdiode électroluminescente (30), une pluralité d'électrodes inférieures (20) étant organisées en un réseau selon certains intervalles sur la partie supérieure du substrat de transistor à couches minces (10), et l'extrémité inférieure de l'électrode inférieure (20) s'étendant pour communiquer avec une électrode source ou une électrode drain (100) du substrat de transistor à couches minces (10). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à microdiodes électroluminescentes. La puce de microdiode électroluminescente (30), qui est connectée à l'électrode inférieure (20) et à l'électrode supérieure (40), est directement fabriquée sur le substrat de transistor à couches minces (10), ce qui réduit considérablement l'épaisseur du panneau d'affichage, et permet également d'obtenir un effet d'affichage à cadre étroit. De plus, la puce de microdiode électroluminescente (30) est adjacente à la totalité de la première couche de passivation (50), ce qui rend inutiles les multiples processus de fabrication et simplifie le processus de fabrication.
(ZH) 一种微型发光二极管显示面板，包括薄膜晶体管基板(10)、设于薄膜晶体管基板(10)顶部的底部电极(20)、设于底部电极(20)上的微型发光二极管芯片(30)、设于微型发光二极管芯片(30)顶部的顶部电极(40)以及覆盖薄膜晶体管基板(10)和微型发光二极管芯片(30)的第一钝化层(50)，多个底部电极(20)相互间隔地阵列设置在薄膜晶体管基板(10)顶部，底部电极(20)的底端延伸至与薄膜晶体管基板(10)的源极或漏极(100)导通。一种微型发光二极管显示面板的制作方法。通过直接在薄膜晶体管基板(10)上制作连接有底部电极(20)和顶部电极(40)的微型发光二极管芯片(30)，使得显示面板的厚度大幅减薄，并能同时实现窄边框显示的效果。并且，微型发光二极管芯片(30)旁为整层的第一钝化层(50)，无需多次制备工艺，简化了制作工序。