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1. WO2019116981 - EMBASE ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2019/116981
Date de publication 20.06.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044696
Date du dépôt international 05.12.2018
CIB
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01L 23/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/373 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01S 5/024 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024Dispositions pour le refroidissement
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 23/373
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Arrangements for thermal management
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岡本 國美 OKAMOTO Kuniyoshi
  • 田中 良宜 TANAKA Yoshinori
Mandataires
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
Données relatives à la priorité
2017-24021815.12.2017JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBMOUNT AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) EMBASE ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) サブマウントおよび半導体レーザ装置
Abrégé
(EN)
A submount is provided according to an aspect of the present disclosure. The submount includes a substrate, an insulation layer, and a conductive layer. The substrate has a primary surface facing the thickness direction and comprises a single crystal semiconductor material. The insulation layer has an electrical insulation property and covers at least a portion of the primary surface. The conductive layer is arranged on the insulation layer. The semiconductor material is a silicon carbide of a first conductivity type.
(FR)
Un aspect de la présente invention concerne une embase. L'embase comprend un substrat, une couche d'isolation et une couche conductrice. Le substrat a une surface primaire faisant face à la direction de l'épaisseur et comprend un matériau semi-conducteur monocristallin. La couche d'isolation a une propriété d'isolation électrique et recouvre au moins une partie de la surface primaire. La couche conductrice est disposée sur la couche d'isolation. Le matériau semi-conducteur est un carbure de silicium d'un premier type de conductivité.
(JA)
本開示の一側面によればサブマウントが提供される。前記サブマウントは、基材と、絶縁層と、導電層と、を含む。前記基材は、厚さ方向を向く主面を有し、かつ単結晶の半導体材料からなる。前記絶縁層は、電気絶縁性を有し、かつ前記主面の少なくとも一部を覆う。前記導電層は、前記絶縁層の上に配置されている。前記半導体材料は、第1導電型の炭化ケイ素である。
Également publié en tant que
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