Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2019112882 - APPAREILS ET PROCÉDÉS DE FOURNITURE DE SIGNAUX DE POLARISATION DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2019/112882
Date de publication 13.06.2019
N° de la demande internationale PCT/US2018/063144
Date du dépôt international 29.11.2018
CIB
G11C 5/14 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14Dispositions pour l'alimentation
G11C 7/06 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06Amplificateurs de lecture; Circuits associés
CPC
G05F 3/24
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
24wherein the transistors are of the field-effect type only
G11C 11/4074
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
G11C 11/4076
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4076Timing circuits
G11C 11/4093
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
409Read-write [R-W] circuits 
4093Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
G11C 2029/5004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
5004Voltage
G11C 2029/5006
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
5006Current
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • ASAKI, Kenji
  • TSUKADA, Shuichi
  • EDO, Sachiko
Mandataires
  • ENG, Kimton
  • ENG, Kimton
  • ANDKEN, Kerry Lee
  • FAUTH, Justen D.
  • HAEN, Shannon
  • HEGSTROM, Brandon
  • ITO, Mika
  • MA, Yue Matthew
  • MEIKLEJOHN, Paul T.
  • NYRE, Erik
  • ORME, Nathan
  • QUECAN, Andrew
  • SPAITH, Jennifer
  • WETZEL, Elen
  • STERN, Ronald
  • CORDRAY, Michael S.
Données relatives à la priorité
15/833,64306.12.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING BIAS SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS DE FOURNITURE DE SIGNAUX DE POLARISATION DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
Apparatuses and methods for providing bias signals in a semiconductor device are described. An example apparatus includes a power supply configured to provide a supply voltage and further includes a bias circuit coupled to the power supply to produce a bias current. The bias circuit is configured to decrease the bias current as the supply voltage increases from a first value to a second value. The bias circuit continues to decrease the bias current as the supply voltage further increases from the second value in a first operation mode. The bias circuit also prevents the bias current from decreasing against further increase of the supply voltage from the second value in a second operation mode.
(FR)
L'invention concerne des appareils et des procédés de fourniture de signaux de polarisation dans un dispositif à semi-conducteurs. Un appareil donné à titre d'exemple comprend une alimentation électrique configurée pour fournir une tension d'alimentation et comprend en outre un circuit de polarisation couplé à l'alimentation électrique afin de produire un courant de polarisation. Le circuit de polarisation est configuré pour diminuer le courant de polarisation lorsque la tension d'alimentation augmente d'une première valeur à une seconde valeur. Le circuit de polarisation continue à diminuer le courant de polarisation lorsque la tension d'alimentation augmente également à partir de la seconde valeur dans un premier mode de fonctionnement. Le circuit de polarisation empêche également le courant de polarisation de diminuer contre une augmentation supplémentaire de la tension d'alimentation à partir de la seconde valeur dans un second mode de fonctionnement.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international