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1. WO2019108822 - PHOTODÉTECTEUR AU NITRURE DE GALLIUM À ÉLECTRODES SENSIBLEMENT TRANSPARENTES

Numéro de publication WO/2019/108822
Date de publication 06.06.2019
N° de la demande internationale PCT/US2018/063107
Date du dépôt international 29.11.2018
CIB
H01L 31/0248 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/033 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033comportant des couches inorganiques
G01J 1/42 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
42en utilisant des détecteurs électriques de radiations
CPC
H01L 31/022408
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/03044
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
03044comprising a nitride compounds, e.g. GaN
H01L 31/03048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
03046including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
03048comprising a nitride compounds, e.g. InGaN
H01L 31/102
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
H01L 31/1848
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
184the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
1844comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
1848comprising nitride compounds, e.g. InGaN, InGaAlN
Déposants
  • ANALOG DEVICES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • FIORENZA, James G.
  • DELIWALA, Shrenik
Mandataires
  • ARORA, Suneel
  • BLACK, David W., Reg. No. 42,331
  • BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377
  • BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610
  • LANG, Roger, Reg. 58,829
  • PERDOK, Monique M., Reg. No. 42,989
  • SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059
Données relatives à la priorité
16/204,42429.11.2018US
62/593,03230.11.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GALLIUM NITRIDE PHOTODETECTOR WITH SUBSTANTIALLY TRANSPARENT ELECTRODES
(FR) PHOTODÉTECTEUR AU NITRURE DE GALLIUM À ÉLECTRODES SENSIBLEMENT TRANSPARENTES
Abrégé
(EN)
A photodetector having a substrate, a layer gallium nitride based material supported by the substrate, and a pair of electrodes formed by a two-dimensional electron gas at an interface between the layer gallium nitride based material and a barrier layer, the pair of electrodes being substantially transparent to ultraviolet light.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur comprenant un substrat, un matériau à base de nitrure de gallium en couche supporté par le substrat, et une paire d'électrodes formées par un gaz d'électrons bidimensionnel au niveau d'une interface entre le matériau à base de nitrure de gallium en couche et une couche barrière, la paire d'électrodes étant sensiblement transparente à la lumière ultraviolette.
Également publié en tant que
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