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1. WO2019106350 - CAPTEUR DE GAZ COMPRENANT UNE COUCHE À BASE D'HALOGÉNURE

Numéro de publication WO/2019/106350
Date de publication 06.06.2019
N° de la demande internationale PCT/GB2018/053419
Date du dépôt international 27.11.2018
CIB
G01N 27/12 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02en recherchant l'impédance
04en recherchant la résistance
12d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G01N 27/414 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G01N 33/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
33Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes G01N1/-G01N31/146
CPC
G01N 27/125
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
02by investigating impedance
04by investigating resistance
12of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid ; , for detecting components in the fluid
125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
G01N 27/126
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
02by investigating impedance
04by investigating resistance
12of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid ; , for detecting components in the fluid
125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
126comprising organic polymers
G01N 27/4141
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4141specially adapted for gases
G01N 33/0047
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
0027concerning the detector
0036Specially adapted to detect a particular component
0047for organic compounds
H01L 51/0562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0558characterised by the channel of the transistor
0562the channel comprising two or more active layers, e.g. forming pn - hetero junction
Déposants
  • CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB]/[GB] (MG)
  • SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD [JP]/[JP]
Inventeurs
  • GODDARD, Simon
  • YAACOBI-GROSS, Nir
Mandataires
  • GILANI, Anwar
Données relatives à la priorité
1719856.529.11.2017GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAS SENSOR COMPRISING A HALIDE-BASED LAYER
(FR) CAPTEUR DE GAZ COMPRENANT UNE COUCHE À BASE D'HALOGÉNURE
Abrégé
(EN)
A gas sensor includes first and second electrodes (107, 109) and a first semiconductor layer (113) comprising a semiconducting transition halide or pseudohalide, for example copper thiocyanate, in electrical contact with the first and second electrodes. The semiconducting transition metal halide or pseudohalide provide that a semicondutcor based gas sensor is sensitive to alkenes and can detect low concentrations of alkenes. Furthermore, the gas sensor may comprise a second semicconductor layer (111), different from the first semiconductor layer. The second semiconductor layer is preferably an organic semiconductor. The gas sensor may be a top- gate or bottom-gate thin film transistor (103: gate electrode; 105: gate dielectric) or a horizontal or vertical chemiresistor. The gas sensor may be used for detection of alkenes, for example ethylene or 1-MCP.
(FR)
La présente invention concerne un capteur de gaz qui comprend des première et seconde électrodes (107, 109) et une première couche semi-conductrice (113) comprenant un pseudohalogénure ou un halogénure de transition semi-conducteur, par exemple du thiocyanate de cuivre, en contact électrique avec les première et seconde électrodes. Le pseudohalogénure ou l'halogénure de métal de transition semi-conducteur assure qu'un capteur de gaz à base de semi-conducteur est sensible aux alcènes et peut détecter de faibles concentrations d'alcènes. En outre, le capteur de gaz peut comprendre une seconde couche semi-conductrice (111) différente de la première couche semi-conductrice. La seconde couche semi-conductrice est de préférence un semi-conducteur organique. Le capteur de gaz peut être un transistor à couches minces à grille supérieure ou à grille inférieure (103 : électrode de grille ; 105 : diélectrique de grille) ou une chimiorésistance horizontale ou verticale. Le capteur de gaz peut être utilisé pour la détection d'alcènes, par exemple d'éthylène ou de 1-MCP.
Également publié en tant que
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