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1. (WO2019068012) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR SPÉCIFIER DES DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE POUR UNE COMMANDE DE LECTURE
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N° de publication : WO/2019/068012 N° de la demande internationale : PCT/US2018/053590
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
30
Circuits d'alimentation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
MADRASWALA, Aliasgar S.; US
GUO, Xin; US
PRABHU, Naveen Vittal; US
DU, Yu; US
SULE, Purval Shyam; US
Mandataire :
CASPER, Derek; US
Données relatives à la priorité :
15/721,35129.09.2017US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR SPÉCIFIER DES DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE POUR UNE COMMANDE DE LECTURE
Abrégé :
(EN) In one embodiment, an apparatus comprises a memory array and a controller. The controller is to receive a first read command specifying a read voltage offset profile identifier; identify a read voltage offset profile associated with the read voltage offset profile identifier, the read voltage offset profile comprising at least one read voltage offset; and perform a first read operation specified by the first read command using at least one read voltage adjusted according to the at least one read voltage offset of the read voltage offset profile.
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une matrice mémoire et un contrôleur. Le contrôleur est destiné à recevoir une première commande de lecture spécifiant un identifiant de profil de décalage de tension de lecture ; à identifier un profil de décalage de tension de lecture associé à l'identifiant de profil de décalage de tension de lecture, le profil de décalage de tension de lecture comprenant au moins un décalage de tension de lecture ; et à effectuer une première opération de lecture spécifiée par la première commande de lecture à l'aide d'au moins une tension de lecture ajustée selon le ou les décalages de tension de lecture du profil de décalage de tension de lecture.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)