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1. (WO2019066943) BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEUR DOTÉS D'INTERCONNEXIONS INTÉGRÉES
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N° de publication : WO/2019/066943 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054524
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
Déposants :
LEE, Kyu Oh [KR/US]; US
SENEVIRATNE, Dilan [LK/US]; US
ELURI, Ravindranadh T. [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LEE, Kyu Oh; US
SENEVIRATNE, Dilan; US
ELURI, Ravindranadh T.; US
Mandataire :
WOO, Justin N.; US
ARORA, Suneel / U.S. Reg. No. 42,267; US
BEEKMAN, Marvin / U.S. Reg. No. 38,377; US
BLACK, David W. / U.S. Reg. No. 42,331; US
GOULD, James R. / U.S. Reg. No. 72,086; US
PERDOK, Monique M. / U.S. Reg. No. 42,989; US
SCHEER, Bradley W. / U.S. Reg. No. 47,059; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGES WITH EMBEDDED INTERCONNECTS
(FR) BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEUR DOTÉS D'INTERCONNEXIONS INTÉGRÉES
Abrégé :
(EN) A semiconductor package may include a semiconductor package first side, an embedded bridge interconnect, a first via, and a second via. The bridge interconnect may include a bridge interconnect first side with a conductive pad and a bridge interconnect second side. The distance between the bridge interconnect first side and the semiconductor package first side may be less than a distance between the bridge interconnect second side and the semiconductor package first side. The first and second vias may each include a first end that is narrower than s second end. The semiconductor package first side may be closer to the first end of the first via than the second end of the first via, and closer to the second end of the second via than the first end of the second via. The first side of the semiconductor package may be configured to electrically couple to a die.
(FR) L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur pouvant comprendre un premier côté de boîtier de semi-conducteur, une interconnexion en pont intégrée, un premier trou de raccordement et un second trou de raccordement. L'interconnexion en pont peut comprendre un premier côté d'interconnexion en pont doté d'une pastille conductrice et un second côté d'interconnexion en pont. La distance entre le premier côté d'interconnexion en pont et le premier côté de boîtier de semi-conducteurs peut être inférieure à une distance entre le second côté d'interconnexion en pont et le premier côté de boîtier de semi-conducteurs. Les premier et second trous de raccordement peuvent individuellement comprendre une première extrémité qui est plus étroite que la seconde extrémité. Le premier côté du boîtier de semi-conducteur peut être plus proche de la première extrémité du premier trou de raccordement que de la seconde extrémité du premier trou de raccordement, et plus proche de la seconde extrémité du second trou de raccordement que de la première extrémité du second trou de raccordement. Le premier côté du boîtier de semi-conducteur peut être conçu pour être couplé électriquement à une puce.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)