Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019066787) GERME CRISTALLIN POUR LA CROISSANCE D'UN CRISTAL MASSIF DE NITRURE DE GALLIUM DANS DE L'AMMONIAC SUPERCRITIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/066787 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053566
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
C30B 7/10 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
10
par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36
Carbures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40
Composés AIII BV
Déposants :
SIXPOINT MATERIALS, INC. [US/US]; 37 Industrial Way, Unit 106 Buellton, California 93427, US
Inventeurs :
HASHIMOTO, Tadao; US
LETTS, Edward; US
KEY, Daryl; US
Mandataire :
HOLLAND, Charles D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND FABRICATION METHOD
(FR) GERME CRISTALLIN POUR LA CROISSANCE D'UN CRISTAL MASSIF DE NITRURE DE GALLIUM DANS DE L'AMMONIAC SUPERCRITIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) In one instance, the seed crystal of this invention provides a nitrogen-polar c-plane surface of a GaN layer supported by a metallic plate. The coefficient of thermal expansion of the metallic plate matches that of GaN layer. The GaN layer is bonded to the metallic plate with bonding metal. The bonding metal not only bonds the GaN layer to the metallic plate but also covers the entire surface of the metallic plate to prevent corrosion of the metallic plate and optionally spontaneous nucleation of GaN on the metallic plate during the bulk GaN growth in supercritical ammonia. The bonding metal is compatible with the corrosive environment of ammonothermal growth.
(FR) Dans un exemple, l'invention concerne un germe cristallin qui fournit une surface de plan c azote-polaire d'une couche de GaN supportée par une plaque métallique. Le coefficient de dilatation thermique de la plaque métallique correspond à celui de la couche de GaN. La couche de GaN est liée à la plaque métallique par un métal de liaison. Le métal de liaison lie non seulement la couche de GaN à la plaque métallique mais couvre également toute la surface de la plaque métallique pour empêcher la corrosion de la plaque métallique et éventuellement la nucléation spontanée du GaN sur la plaque métallique pendant la croissance de GaN massique dans de l'ammoniac supercritique. Le métal de liaison est compatible avec l'environnement corrosif de la croissance ammonothermique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)