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1. (WO2019066411) ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT LA COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication : WO/2019/066411 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/011258
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 21.09.2018
CIB :
H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
42
Matériaux transparents
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
Déposants :
고려대학교 산학협력단 KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION [KR/KR]; 서울시 성북구 안암로 145, 고려대학교 (안암동5가) (Anam-dong 5-ga) Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul 02841, KR
Inventeurs :
김태근 KIM, Tae Geun; KR
오상훈 OH, Sang Hoon; KR
손경락 SON, Kyung Rock; KR
Mandataire :
특허법인 주원 B&IP-JOOWON PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 언주로 711, 건설회관 9층 (논현동) (Nonhyeon-dong) 9th Floor, Construction Center, Eonju-ro 711, Gangnam-gu, Seoul 06050, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012483527.09.2017KR
Titre (EN) REFLECTIVE ELECTRODE FOR MICRO LIGHT EMITTING ELEMENT, MICRO LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTIVE ELECTRODE FOR MICRO LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT LA COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODE RÉFLÉCHISSANTE POUR MICRO-ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(KO) 마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a reflective electrode for a micro light emitting element, a micro light emitting element having the same, and a method for manufacturing a reflective electrode for a micro light emitting element. Further, the present invention comprises: a transparent electrode layer formed on a p-type semiconductor layer of a micro light emitting element; a reflective layer formed on the transparent electrode layer, wherein the reflective layer is an insulator reflecting light that is emitted from an active layer of the micro light emitting element and introduced through the transparent electrode layer, and includes a conductive filament connecting the transparent electrode layer and a p-type electrode layer therein; and the p-type electrode layer formed on the reflective layer and electrically connected to the transparent electrode layer through the conductive filament of the reflection layer. Due to these features, the present invention can provide a reflective electrode which has good conductivity and enhanced reflection efficiency compared to conventional general metal electrodes and in particular, has enhanced reflection efficiency in the ultraviolet (UV) region.
(FR) La présente invention concerne une électrode réfléchissante pour un micro-élément électroluminescent, un micro-élément électroluminescent la comprenant, et un procédé de fabrication d'une électrode réfléchissante pour un micro-élément électroluminescent. En outre, la présente invention comprend : une couche d'électrode transparente formée sur une couche semi-conductrice de type p d'un micro-élément électroluminescent ; une couche réfléchissante formée sur la couche d'électrode transparente, la couche réfléchissante étant un isolant réfléchissant la lumière qui est émise à partir d'une couche active du micro-élément électroluminescent et introduite à travers la couche d'électrode transparente, et comprend un filament conducteur connectant la couche d'électrode transparente et une couche d'électrode de type p à l'intérieur de celle-ci ; et la couche d'électrode de type p formée sur la couche réfléchissante et connectée électriquement à la couche d'électrode transparente par l'intermédiaire du filament conducteur de la couche de réflexion. Grâce à ces caractéristiques, la présente invention peut fournir une électrode réfléchissante qui présente une bonne conductivité et une efficacité de réflexion améliorée par rapport aux électrodes métalliques générales classiques et, en particulier, a une efficacité de réflexion améliorée dans la région ultraviolette (UV).
(KO) 본 발명은 마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 마이크로 발광소자의 p형 반도체층의 위에 형성되는 투명 전극층과, 투명 전극층의 위에 형성되고 마이크로 발광소자의 활성층으로부터 발광되어 투명 전극층을 통해 유입되는 빛을 반사하는 절연체이며 그 내부에는 상기 투명 전극층과 p형 전극층을 연결하는 전도성 필라멘트가 포함된 반사층 및 반사층의 위에 형성되고 반사층의 전도성 필라멘트를 통해 투명 전극층에 전기적으로 연결되는 p형 전극층을 구비함으로써, 종래의 일반적인 금속 전극에 비해 향상된 반사 효율을 가지면서 전도성도 우수한 반사 전극을 제공할 수 있고, 특히, 자외선(UV) 영역에서의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)