Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019065689) SUBSTRAT DE BASE, ÉLÉMENT FONCTIONNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE BASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/065689 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035586
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2018
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventeurs :
後藤 万佐司 GOTO Masashi; JP
坂井 正宏 SAKAI Masahiro; JP
大上 翔平 OUE Shohei; JP
吉野 隆史 YOSHINO Takashi; JP
Mandataire :
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18641127.09.2017JP
Titre (EN) BASE SUBSTRATE, FUNCTIONAL ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING BASE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE BASE, ÉLÉMENT FONCTIONNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE BASE
(JA) 下地基板、機能素子および下地基板の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a base substrate for growing a group 13 element nitride crystal layer on a crystal growing surface of a base crystal layer, wherein the base substrate has a structure which can further reduce defects or cracks in the group 13 element nitride crystal layer. A base substrate 6 comprises: a support substrate 1 made of aluminum oxide; and a base crystal layer 2A, which is provided on a main surface 1a of the support substrate 1, is made of a group 13 element nitride crystal, and has a crystal growing surface 2a. At least one of a product of reaction between the material of the support substrate and the group 13 element nitride crystal and a group 13 metal, 4A, is present between the support substrate 1 and the base crystal layer 2A. The product of reaction includes at least aluminum and a group 13 element.
(FR) L'invention concerne un substrat de base pour la croissance d'une couche cristalline de nitrure d'élément du groupe 13 sur une surface de croissance cristalline d'une couche cristalline de base, le substrat de base présentant une structure qui peut en outre réduire des défauts ou des fissures dans la couche cristalline de nitrure d'élément du groupe 13. L'invention concerne un substrat de base 6 comprenant : un substrat de support 1 en oxyde d'aluminium ; et une couche cristalline de base 2A qui est disposée sur une surface principale 1a du substrat de support 1, qui est constituée d'un cristal d'un nitrure d'un élément du groupe 13 et qui possède une surface 2a de croissance cristalline. Au moins l'un d'un produit de réaction entre le matériau du substrat de support et le cristal de nitrure d'élément du groupe 13 et un métal du groupe 13, 4A, est présent entre le substrat de support 1 et la couche cristalline de base 2A. Le produit de réaction comprend au moins de l'aluminium et un élément du groupe 13.
(JA) 下地結晶層の結晶育成面上に13族元素窒化物結晶層を育成するための下地基板において、13族元素窒化物結晶層における欠陥やクラックを更に低減できる構造を提供する。 下地基板6は、酸化アルミニウムからなる支持基板1、支持基板1の主面1a上に設けられ、および13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面2aを有する下地結晶層2Aを備える。支持基板1と下地結晶層2Aとの間に、支持基板の材質と13族元素窒化物結晶との反応物と13族金属との少なくとも一方4Aが存在している。反応物が、少なくともアルミニウムおよび13族元素を含む。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)