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1. (WO2019065669) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/065669 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035555
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2018
CIB :
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 3/08 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
大村 正志 OMURA, Masashi; --
Mandataire :
特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市北区梅田一丁目12‐17梅田スクエアビル Umeda Square Bldg., 12-17, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18673627.09.2017JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
Abrégé :
(EN) In the present invention, a reduction in size is achieved while characteristics degradation is suppressed. An elastic wave device (1) has a first acoustic impedance layer (31) and second acoustic impedance layers (32, 33), an IDT electrode (5), and electrodes (61, 62). At least a portion of the IDT electrode (5) overlaps the first acoustic impedance layer (31). At least a portion of the electrodes (61, 62) overlaps the second acoustic impedance layers (32, 33). In each of the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layers (32, 33), a high-acoustic-impedance layer or a low-acoustic-impedance layer is an electrically conductive layer. Capacitors (71, 72) are formed by the electrodes (61, 62) and the electrically conductive layers of the second acoustic impedance layers (32, 33). The electrically conductive layer of the first acoustic impedance layer (31) is electrically insulated from the electrically conductive layers of the second acoustic impedance layers (32, 33).
(FR) Dans la présente invention, la taille du dispositif peut être réduite sans dégradation de ses caractéristiques. Le dispositif à ondes élastiques (1) comprend une première couche d'impédance acoustique (31) et des secondes couches d'impédance acoustique (32, 33), une électrode IDT (5) et des électrodes (61, 62). Au moins une partie de l'électrode IDT (5) chevauche la première couche d'impédance acoustique (31). Au moins une partie des électrodes (61, 62) chevauche les secondes couches d'impédance acoustique (32, 33). Dans chacune des première couche d'impédance acoustique (31) et secondes couches d'impédance acoustique (32, 33), une couche à forte impédance acoustique ou une couche à faible impédance acoustique est une couche électriquement conductrice. Des condensateurs (71, 72) sont formés par les électrodes (61, 62) et les couches électriquement conductrices des secondes couches d'impédance acoustique (32, 33). La couche électriquement conductrice de la première couche d'impédance acoustique (31) est isolée électriquement des couches électriquement conductrices des secondes couches d'impédance acoustique (32, 33).
(JA) 特性劣化を抑制しつつ小型化を図る。弾性波装置(1)は、第1音響インピーダンス層(31)及び第2音響インピーダンス層(32,33)と、IDT電極(5)と、電極(61,62)とを有する。IDT電極(5)の少なくとも一部は、第1音響インピーダンス層(31)と重複する。電極(61,62)の少なくとも一部は、第2音響インピーダンス層(32,33)と重複する。第1音響インピーダンス層(31)及び第2音響インピーダンス層(32,33)の各々において、高音響インピーダンス層又は低音響インピーダンス層が導電層である。第2音響インピーダンス層(32,33)の導電層と電極(61,62)とによって、キャパシタ(71,72)が形成されている。第1音響インピーダンス層(31)のおける導電層は、第2音響インピーダンス層(32,33)における導電層と電気的に絶縁している。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)