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1. (WO2019064906) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/064906 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028793
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 01.08.2018
CIB :
B81C 1/00 (2006.01) ,G01F 1/692 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
F
MESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1
Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
68
en utilisant des effets thermiques
684
Dispositions de structure; Montage des éléments, p.ex. relativement à l'écoulement de fluide
688
utilisant un élément de chauffage, de refroidissement ou de détection d'un type particulier
69
du type à résistance
692
Dispositions à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
土持 秀太郎 TSUCHIMOCHI Shutaro; JP
丹波 栄策 TAMBA Eisaku; JP
池尾 聡 IKEO Satoshi; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18780228.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) In relation to techniques for manufacturing semiconductor devices having an ultrathin diaphragm, the present invention provides a manufacturing method that contributes to an improvement in manufacturing yield and has good workability. This method for manufacturing a semiconductor device is a method for manufacturing a semiconductor device having a diaphragm, and includes a step of forming an electronic circuit element on a top surface of a semiconductor wafer, and a step of forming the diaphragm by etch-removing the reverse surface side of the semiconductor wafer, characterized in that the step of forming the diaphragm includes: a sub-step of affixing onto the top surface of the semiconductor wafer a protective tape obtained by laminating an ultraviolet curing pressure-sensitive adhesive layer onto a resin tape; a sub-step of wet etching the semiconductor wafer from the reverse surface side thereof; a sub-step of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet light; and a sub-step of peeling off the protective tape at a temperature at least equal to the etching temperature of the wet etching and at most equal to the Vicat softening temperature of the resin tape.
(FR) Par rapport à des techniques de fabrication de dispositifs à semi-conducteur ayant un diaphragme ultra-mince, la présente invention concerne un procédé de fabrication qui contribue à une amélioration du rendement de fabrication et a une bonne maniabilité. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur est un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant un diaphragme, et comprend une étape de formation d'un élément de circuit électronique sur une surface supérieure d'une plaquette de semi-conducteur, et une étape de formation du diaphragme par élimination par gravure du côté de surface inverse de la plaquette de semi-conducteur, caractérisé en ce que l'étape de formation du diaphragme comprend : une sous-étape de fixation, sur la surface supérieure de la plaquette de semi-conducteur, d'une bande de protection obtenue par stratification d'une couche adhésive sensible à la pression à durcissement aux ultraviolets sur une bande de résine ; une sous-étape de gravure humide de la plaquette de semi-conducteur du côté de surface inverse de celle-ci ; une sous-étape d'exposition de la couche adhésive sensible à la pression à une lumière ultraviolette ; et une sous-étape de décollement de la bande de protection à une température au moins égale à la température de gravure de la gravure humide et au plus égale à la température de ramollissement Vicat de la bande de résine.
(JA) 極薄ダイアフラムを有する半導体デバイスの製造技術において、製造歩留まりの向上に貢献しかつ高い作業容易性を有する製造方法を提供する。 本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、ダイアフラムを有する半導体デバイスを製造する方法であって、半導体ウエハの一表面の上に電子回路要素を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面側をエッチング除去して前記ダイアフラムを形成する工程とを有し、前記ダイアフラムを形成する工程は、樹脂テープ上に紫外線硬化型粘着剤層が積層された保護テープを前記半導体ウエハの表面の上に貼り付ける素工程と、前記半導体ウエハを裏面側からウェットエッチングする素工程と、前記粘着剤層に紫外線を照射する素工程と、前記ウェットエッチングのエッチング温度以上かつ前記樹脂テープのビカット軟化温度以下の温度で前記保護テープを剥離する素工程と、を有することを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)