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1. (WO2019063703) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP AYANT UN CONTRÔLE TOTAL DE LA CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE SUR SON CANAL
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N° de publication : WO/2019/063703 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/076285
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2018
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/16 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
16
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
24
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20 ou H01L29/22268
Déposants :
LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST) [LU/LU]; 5, avenue des Hauts-Fourneaux 4362 Esch-sur-Alzette, LU
Inventeurs :
LENOBLE, Damien; BE
Mandataire :
LECOMTE & PARTNERS; P.O. Box 1623 1016 Luxembourg, LU
Données relatives à la priorité :
LU10046127.09.2017LU
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A TOTAL CONTROL OF THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY ON ITS CHANNEL
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP AYANT UN CONTRÔLE TOTAL DE LA CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE SUR SON CANAL
Abrégé :
(EN) The first object of the invention is directed to field-effect gate transistor comprising (a) a substrate, (b) a source terminal, (c) a drain terminal, and (d) a channel between said source terminal and said drain terminal, said channel being a layer of CuxCryO2 in which the y/x ratio is superior to 1. Said field-effect gate transistor is remarkable in that said channel of CuxCryO2 presents a gradient of holes concentration. The second object of the invention is directed to a method for laser annealing a field-effect gate transistor in accordance with the first object of the invention.
(FR) Le premier objet de l'invention concerne un transistor de grille à effet de champ comprenant (a) un substrat, (b) une borne de source, (c) une borne de drain et (d) un canal entre ladite borne de source et ladite borne de drain, ledit canal étant une couche de CuxCryO2 dans laquelle le rapport y/x est supérieur à 1. Ledit transistor de grille à effet de champ est remarquable en ce que ledit canal de CuxCryO2 présente un gradient de concentration de trous. Le second objet de l'invention concerne un procédé de recuit laser d'un transistor de grille à effet de champ selon le premier objet de l'invention.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)