Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019063484) CAPTEUR DE GAZ À CHIMIORÉSISTANCE VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/063484 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/075810
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 24.09.2018
CIB :
G01N 27/12 (2006.01) ,G01N 33/00 (2006.01) ,G01N 33/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
12
d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
33
Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes G01N1/-G01N31/146
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
33
Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes G01N1/-G01N31/146
02
Nourriture
Déposants :
CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Unit 12 Cardinal Park Cardinal Way, Godmanchester Godmanchester Cambridgeshire PE29 2XG, GB (MG)
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED [JP/JP]; Floor 18, Sumitomo Twin Buildings 27-1 Shinkawa 2-chome, Chuo-ku Tokyo, Tokyo 104-8260, JP
Inventeurs :
TOBJORK, Daniel; GB
WILSON, Richard; GB
Mandataire :
GAHLINGS, Steven; GB
Données relatives à la priorité :
1715847.829.09.2017GB
1719329.321.11.2017GB
Titre (EN) VERTICAL CHEMIRESISTOR GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ À CHIMIORÉSISTANCE VERTICALE
Abrégé :
(EN) A sensor for detecting and measuring a gas in a gaseous environment where the gaseous environment conations an interferent such as a related gas. A vertical chemiresistor with a top gate includes a semiconductor layer that has a bulk resistivity that changes in the presence of the gas and/or the interferent. The electrodes (103, 107) of the vertical chemiresistor have a work function that changes when the gas is absorbed onto the electrode. This absorption changes the work function of the electrode and thereby the contact resistance of the electrode in the vertical chemiresistor. By detecting changes in the contact resistance and the bulk resistivity of the semiconducting layer (105) the presence and the concentration of the gas may be determined and distinguished from the interferent.
(FR) L'invention concerne un capteur permettant de détecter et de mesurer un gaz dans un environnement gazeux, l'environnement gazeux contenant un interférent tel qu'un gaz associé. L'invention porte sur une chimiorésistance verticale dotée d'une grille supérieure qui comprend une couche semi-conductrice présentant une résistivité volumique qui varie en présence du gaz et/ou de l'interférent. Les électrodes (103, 107) de la chimiorésistance verticale disposent d'une fonction de travail qui change lorsque le gaz est absorbé sur l'électrode. Cette absorption modifie la fonction de travail de l'électrode et ainsi la résistance de contact de l'électrode dans la chimiorésistance verticale. En détectant des variations de la résistance de contact et de la résistivité volumique de la couche semi-conductrice (105), la présence et la concentration du gaz peuvent être déterminées et distinguées de l'interférence.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)