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1. (WO2019063221) DISPOSITIF DE DÉVIATION ET DE FOCALISATION DE LUMIÈRE
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N° de publication : WO/2019/063221 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/072956
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
G02B 27/56 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
27
Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques
56
Optique utilisant des ondes évanescentes, c. à d. ondes non homogènes
Déposants :
THOMSON LICENSING [FR/FR]; 1-5, rue Jeanne d'Arc 92130 Issy-les-Moulineaux, FR
Inventeurs :
BORISKIN, Artem; FR
SHRAMKOVA, Oksana; FR
BLONDE, Laurent; FR
Mandataire :
WINDAL, Gaëlle; FR
Données relatives à la priorité :
17306276.126.09.2017EP
Titre (EN) DEVICE FOR DEVIATING AND FOCUSING LIGHT
(FR) DISPOSITIF DE DÉVIATION ET DE FOCALISATION DE LUMIÈRE
Abrégé :
(EN) The present disclosure concerns a device for generating and guiding nanojets beams from an incident electromagnetic wave on said device. The device is remarkable in that it comprises: - a first layer of a dielectric material having a first refractive index value (n1); - a second layer of a dielectric material having a second refractive index value (n2), wherein said second refractive index value is greater than said first refractive index value; and wherein a first boundary between said first and second layers comprises a first single step shape structure, said first single step shape structure being a change of level that is defined sensibly according to a first straight line being associated with an angle of inclination close to a first angle of inclination, wherein said device further comprising a dielectric element comprised in an embedding layer, said embedding layer being either said first layer or said second layer, said dielectric element having a refractive index (n3), higher than the one from said embedding layer, and wherein a second boundary between said dielectric element and said embedding layer comprises a second single step shape structure, said second single step shape structure being a change of level that is defined sensibly by a second straight line being associated with an angle of inclination close to a second angle of inclination, and wherein said second single step shape structure is positioned at the vicinity of said first single step shape structure for focusing nanojets beams generated by each of said first and second single step shape structures around a first focusing point.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de génération et de guidage de faisceaux de nano-jets à partir d'une onde électromagnétique incidente sur ledit dispositif. Le dispositif est remarquable en ce qu'il comprend : - une première couche d'un matériau diélectrique ayant une première valeur d'indice de réfraction (n1 ) ; - une seconde couche d'un matériau diélectrique ayant une seconde valeur d'indice de réfraction (n2), ladite seconde valeur d'indice de réfraction étant supérieure à ladite première valeur d'indice de réfraction ; et une première limite entre lesdites première et seconde couches comprenant une première structure de forme à un seul cran, ladite première structure de forme à un seul cran étant un changement de niveau qui est défini de manière sensible selon une première ligne droite qui est associée à un angle d'inclinaison proche d'un premier angle d'inclinaison, ledit dispositif comprenant en outre un élément diélectrique compris dans une couche d'enrobage, ladite couche d'enrobage étant soit ladite première couche soit ladite seconde couche, ledit élément diélectrique ayant un indice de réfraction (n3), supérieur à celui de ladite couche d'enrobage et une seconde limite entre ledit élément diélectrique et ladite couche d'enrobage comprenant une seconde structure de forme à un seul cran, ladite seconde structure de forme à un seul cran étant un changement de niveau qui est défini de manière sensible par une seconde ligne droite qui est associée à un angle d'inclinaison proche d'un second angle d'inclinaison et ladite seconde structure de forme à un seul cran étant positionnée à proximité de ladite première structure de forme à un seul cran pour focaliser des faisceaux de nano-jets générés par chacune desdites première et seconde structures de forme à un seul cran autour d'un premier point de focalisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)