Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019048670) ÉLÉMENT D’ENTRÉE DE GAZ POUR REACTEUR CVD OU PVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/048670 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/074286
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 10.09.2018
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Inventeurs :
JIANG, Honggen; GB
CRAWLEY, Fred Michael Andrew; GB
O'DOWD, James; GB
Mandataire :
GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
20 2017 105 481.011.09.2017DE
Titre (EN) GAS INLET ELEMENT FOR A CVD OR PVD REACTOR
(FR) ÉLÉMENT D’ENTRÉE DE GAZ POUR REACTEUR CVD OU PVD
(DE) GASEINLASSORGAN FÜR EINEN CVD- ODER PVD-REAKTOR
Abrégé :
(EN) The invention relates to a gas inlet element (2) for a CVD or PVD reactor (1) having a base plate (7), the broad side (7’) of which is adjacent to an edge (18) on a narrow side (7′'), having a plurality of gas outlet openings (16, 16’'), wherein at least one coolant receiving cavity (13) is arranged in the base plate (7), said coolant receiving cavity being spaced apart from the broad side (7 ') by a first cavity wall (13'). In order to further develop a generic gas inlet element in a use-advantageous manner and, in particular, to take measures in order to reduce the mechanical stress in the base plate which forms during the heating process, a recess (12) which is open towards the broad side (7’) is arranged between the edge (18) and the first cavity wall (13’) formed by a plate which is connected to a base body (19) of the base plate (7) by means of a weld seam (9).
(FR) L’invention concerne un élément d’entrée de gaz (2), destiné à un réacteur CVD ou PVD (1), comprenant une plaque inférieure (7) dont le côté large (7’), adjacent à un bord (18) situé au niveau d’un petit côté (7’’), comporte une pluralité d’orifices de sortie de gaz (16, 16’). Au moins une cavité de réception d’agent de refroidissement, espacée du côté large (7’) par une première paroi de cavité (13’), est ménagée dans la plaque inférieure (7). Pour perfectionner avantageusement en utilisation un élément d’entrée de gaz générique et en particulier pour prendre des mesures permettant de réduire la contrainte mécanique, générée pendant le chauffage, dans la plaque inférieure, il est proposé de ménager un évidement (12) ouvert en direction du côté large (7’) et placé entre le bord (18) et la première paroi de cavité (13’) formée par une plaque qui est reliée par une soudure (9) à un corps de base (19) de la plaque inférieure (7).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Gaseinlassorgan (2) für einen CVD-oder PVD- Reaktor (1) mit einer Bodenplatte (7), deren mit einem Rand (18) an einer Schmalseite (7'') angrenzende Breitseite (7') eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen (16, 16') aufweist, wobei in der Bodenplatte (7) zumindest eine Kühlmittel-Aufnahmehöhlung (13) angeordnet ist, die durch eine erste Höhlungswand (13') von der Breitseite (7') beabstandet ist. Um ein gattungsgemäßes Gaseinlassorgan gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden und insbesondere Maßnahmen zu ergreifen, um den sich bei der Aufheizung ausbildenden mechanischen Stress in der Bodenplatte zu vermindern, wird eine zur Breitseite (7') hin offene, zwischen dem Rand (18) und der von einer Platte die mit einer Schweißnaht (9) mit einem Grundkörper (19) der Bodenplatte (7) verbunden ist, gebildeten ersten Höhlungswand (13') angeordnete Ausnehmung (12) vorgeschlagen.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)