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1. (WO2019044510) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, STRATIFIÉ, KIT, COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE, COMPOSITION DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/044510 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030373
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 15.08.2018
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,C08F 230/04 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/075 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
230
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et contenant du phosphore, du sélénium, du tellure ou un métal
04
contenant un métal
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
075
Composés contenant du silicium
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
米久田 康智 YONEKUTA Yasunori; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
西田 陽一 NISHIDA Yoichi; JP
藤田 光宏 FUJITA Mitsuhiro; JP
Mandataire :
特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング9階 Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2017-16590930.08.2017JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ION INJECTION METHOD, LAMINATE BODY, KIT, COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, STRATIFIÉ, KIT, COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE, COMPOSITION DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、イオン注入方法、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a pattern formation method and an ion-injection method in which said pattern formation method is used, the pattern formation method comprising: (1) a step for forming a resist underlayer film on a substrate to be processed; (2) a step for forming a resist film on the resist underlayer film, using a resist composition that contains a resin having atoms selected from the group consisting of (A) Si atoms and Ti atoms; (3) a step for exposing the resist film; (4) a step for developing the exposed resist film and forming a resist pattern; (5) a step for forming a pattern by processing the resist underlayer film, using the resist pattern as a mask, wherein the thickness of the resist underlayer film is at least 2.5 µm, and the thickness of the resist film does not exceed 1 µm. The present invention furthermore provides: a laminate, a kit, a composition for forming the resist underlayer film, and the resist composition used in the method for forming a pattern; and a method for manufacturing an electronic device.
(FR) L'invention fournit un procédé de formation de motif qui contient (1) une étape au cours de laquelle un film de sous-couche de réserve est formé sur un substrat à traiter, (2) une étape au cours de laquelle un film de réserve est formé sur le film de sous-couche de réserve, au moyen d'une composition de réserve comprenant une résine ayant un atome choisi dans un groupe constitué d'un atome de Si et d'un atome de Ti, (3) une étape au cours de laquelle le film de réserve est exposé à la lumière, (4) une étape au cours de laquelle un motif de réserve est formé par développement du film de réserve ainsi exposé à la lumière, et (5) une étape au cours de laquelle un motif est formé par usinage du film de sous-couche de réserve avec le motif de réserve pour masque. Plus précisément, ce procédé de formation de motif est tel que l'épaisseur du film de sous-couche de réserve est supérieure ou égale à 2,5μm, et l'épaisseur du film de réserve est inférieure ou égale à 1μm. L'invention fournit également un procédé d'implantation ionique mettant en œuvre ce procédé de formation de motif, un stratifié, un kit, une composition pour formation de film de sous-couche de réserve ainsi qu'une composition de réserve mis en œuvre dans ce procédé de formation de motif, et un procédé de fabrication de dispositif électronique.
(JA) 本発明により、(1)被処理基板上に、レジスト下層膜を形成する工程と、(2)レジスト下層膜上に、(A)Si原子及びTi原子からなる群より選択される原子を有する樹脂を含有するレジスト組成物により、レジスト膜を形成する工程と、(3)レジスト膜を露光する工程と、(4)露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、(5)レジストパターンをマスクとして、レジスト下層膜を加工してパターンを形成する工程、とを含むパターン形成方法であって、レジスト下層膜の膜厚が2.5μm以上であり、レジスト膜の膜厚が1μm以下である、パターン形成方法、及び、これを用いたイオン注入方法、並びに、上記パターン形成方法に用いられる、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)