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1. (WO2019043870) ÉLECTRODE À RESSORT POUR MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE BLOC-PRESSE
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N° de publication : WO/2019/043870 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031365
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
R
CONNEXIONS CONDUCTRICES DE L'ÉLECTRICITÉ; ASSOCIATION STRUCTURELLE DE PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE CONNEXION ÉLECTRIQUE ISOLÉS LES UNS DES AUTRES; DISPOSITIFS DE COUPLAGE; COLLECTEURS DE COURANT
11
Éléments de connexion individuels assurant plusieurs emplacements de connexion espacés pour des organes conducteurs qui sont ou qui peuvent être interconnectés de cette façon, p.ex. pièces d'extrémité pour fils ou câbles supportées par le fil ou par le câble et possédant des moyens pour faciliter la connexion électrique avec quelqu'autre fil, borne, ou organe conducteur, répartiteurs
01
caractérisés par la forme ou par la disposition de l'interconnexion entre leurs emplacements de connexion
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
藤田 重人 FUJITA Shigeto; JP
松田 哲也 MATSUDA Tetsuya; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) ÉLECTRODE À RESSORT POUR MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE BLOC-PRESSE
(JA) プレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a spring electrode that prevents disconnection of a power conduction path during short-circuiting of a semiconductor chip in a press-pack power semiconductor module. This spring electrode (101) for a press-pack power semiconductor module comprises: a first electrode (11) that contacts a power semiconductor chip; a second electrode (12) that is disposed facing the first electrode; and a pressure pad connecting the first electrode (11) and the second electrode (12), the pressure pad being flexible in the direction of a normal to the facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12). The facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12) have pentagonal or greater polygonal shapes. The edges of the facing surface of the first electrode (11) and the edges of the facing surface of the second electrode (12) that correspond to these edges are connected in parallel by the pressure pad (13).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une électrode à ressort qui empêche la déconnexion d'un trajet de conduction de puissance pendant un court-circuit d'une puce semi-conductrice dans un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse. Cette électrode à ressort (101) pour un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse comprend : une première électrode (11) qui entre en contact avec une puce semi-conductrice de puissance ; une seconde électrode (12) qui est disposée en regard de la première électrode ; et un tampon de pression connectant la première électrode (11) et la seconde électrode (12), le tampon de pression étant flexible dans la direction d'une normale aux surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12). Les surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12) ont des formes polygonales au moins pentagonales. Les bords de la surface opposée de la première électrode (11) et les bords de la surface opposée de la seconde électrode (12) qui correspondent à ces bords sont connectés en parallèle par le tampon de pression (13).
(JA) 本発明は、プレスパックパワー半導体モジュールにおいて、半導体チップの短絡時に導電路の断線を防ぐばね電極の提供を目的とする。本発明のプレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極(101)は、パワー半導体チップと接触する第1電極(11)と、第1電極に対向して配置される第2電極(12)と、第1電極(11)および第2電極(12)を接続し、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面の法線方向に可撓性を有するプレッシャパッドとを備え、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面は5角形以上の多角形であり、第1電極(11)の対向面の各辺とこれらの辺に対応する第2電極(12)の対向面の各辺とは、プレッシャパッド(13)により並列接続される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)